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申请/专利权人：浜松光子学株式会社
申请日：2022-10-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202475A
主分类号：H01L33/08
分类号：H01L33/08;H01L31/0264;H01L31/10;H01L33/30;H01L33/38
优先权：["20211018 JP 2021-170201"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：光半导体元件1具备：基板2；以及多个单元3，其为形成于基板2上的多个单元3，并且包括电连接的第1单元3A、第2单元3B和第3单元3D。在第1单元3A的顶面上，配置有与第1单元3A的第1半导体层电连接的第1电极11，在第2单元3B的顶面上，配置有与第3单元3D的第2半导体层电连接的第2电极12。第1电极11和第2电极12的各个具有在与外部构件电连接时焊料所接触的接触预定区域R。在从基板2的厚度方向观察的情况下，在第2单元3B的顶面上的第2电极12的面积小于在第1单元3A的顶面上的第1电极11的面积。
主权项：1.一种光半导体元件，其中，具备：基板；以及多个单元，其为形成于所述基板上的多个单元，并且包括电连接的第1单元、第2单元和第3单元，所述第1单元和所述第3单元的各个具有：光学层，其为产生光的活性层或吸收光的吸收层；第1半导体层，其相对于所述光学层配置于所述基板的相反侧；以及第2半导体层，其为具有与所述第1半导体层不同的导电型的第2半导体层，并且相对于所述光学层配置于所述基板侧，所述第2单元至少具有配置于所述基板上的第3半导体层，在所述第1单元的顶面上，配置有与所述第1单元的所述第1半导体层电连接的第1电极，在所述第2单元的顶面上，配置有与所述第3单元的所述第2半导体层电连接的第2电极，所述第1电极和所述第2电极的各个具有在与外部构件电连接时焊料所接触的接触预定区域，在从所述基板的厚度方向观察的情况下，在所述第2单元的顶面上的所述第2电极的面积小于在所述第1单元的顶面上的所述第1电极的面积。
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