申请/专利权人：中科新松有限公司

申请日：2021-02-24

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN113030673B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2021.07.13#实质审查的生效;2021.06.25#公开

摘要：本申请提供了一种电磁铁控制电路及其检测方法，电磁铁控制电路包括微处理器、第一晶体管、第二晶体管和电磁铁；微处理器通过第一驱动模块与第一晶体管连接，第一晶体管、电磁铁和第二晶体管依次串联，微处理器通过第二驱动模块与第二晶体管连接；第一检测模块的一端连接在第一晶体管与电磁铁之间，其另一端与微处理器连接；微处理器根据第一检测模块检测到的电压和预设的第一电压值判断第一晶体管的性能；第二检测模块的一端连接在电磁铁与第二晶体管之间，其另一端与微处理器连接；微处理器根据第二检测模块检测到的电压和预设的第二电压值判断第二晶体管的性能。本申请中当第一晶体管和第二晶体管任一个出现短路时，均不会烧毁电磁铁。

主权项：1.一种电磁铁控制电路，其特征在于，包括微处理器、第一驱动模块、第一晶体管、第二驱动模块、第二晶体管、电磁铁、第一检测模块和第二检测模块；所述微处理器通过所述第一驱动模块与所述第一晶体管连接，所述第一晶体管、电磁铁和第二晶体管依次串联，所述微处理器通过所述第二驱动模块与所述第二晶体管连接；所述第一晶体管与第一驱动模块连接的一端连接电源VP+；所述第一驱动模块包括与门电路和晶体管驱动电路，所述与门电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，所述晶体管驱动电路包括第三电阻和第四电阻；所述第一晶体管采用P沟道的MOS管；所述微处理器的第一输入输出端口通过所述第一电阻与第一三极管的基极连接，所述微处理器的第二输入输出端口通过所述第二电阻与第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极连接所述第二三极管的集电极，所述第二三极管的发射极接地；所述第一三极管的集电极通过所述第三电阻与所述第一晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的栅极通过所述第四电阻与电源VP+连接；所述第一晶体管的源极与电源VP+连接，所述第一晶体管的漏极与电磁铁的输入端连接；所述第二驱动模块包括第五电阻和第六电阻，所述第二晶体管采用N沟道的MOS管，其中，所述微处理器的第三输入输出端口与所述第二晶体管的栅极连接，所述第二晶体管的栅极通过所述第五电阻接地，所述第二晶体管的漏极与电磁铁的输出端连接，所述第二晶体管的源极通过所述第六电阻接地；所述第一检测模块的一端连接在所述第一晶体管与电磁铁之间，其另一端与所述微处理器连接；所述第一检测模块用于对所述第一晶体管与电磁铁之间线路上任一点的电压进行检测，检测得到的电压发送给所述微处理器；微处理器根据接收到的第一检测模块检测到的电压和预设的第一电压值判断第一晶体管的性能；所述第二检测模块的一端连接在所述电磁铁与第二晶体管之间，其另一端与所述微处理器连接；所述第二检测模块用于对所述电磁铁与第二晶体管之间线路上任一点的电压进行检测，检测得到的电压发送给所述微处理器；所述微处理器根据接收到的第二检测模块检测到的电压和预设的第二电压值判断第二晶体管的性能；第三检测模块用于间接检测经过所述电磁铁的电流，所述微处理器根据所述第三检测模块的检测结果判断所述电磁铁的工作状态；监控芯片与微处理器连接，其用于监控所述微处理器的工作状态；所述微处理器的第三输入输出端口输出PWM信号，所述PWM信号通过所述第五电阻控制所述第二晶体管定时导通或截止。

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权利要求：

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