申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院

申请日：2021-04-28

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN113181549B

主分类号：A61N1/05

分类号：A61N1/05;A61N1/36;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/58

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本公开提供了一种癫痫灶定位脑深部柔性微纳电极阵列及其制备方法，其癫痫灶定位脑深部柔性微纳电极阵列自下而上顺次包括：基底层、导电层和绝缘层；基底层和绝缘层为具有生物相容性的柔性材料，呈尖刀型轮廓；导电层包括：微电极阵列和焊盘；微电极阵列包括多个检测位点；多个检测位点纵向错位分布，纵向跨越海马脑区和皮层脑区；焊盘通过引线与微电极阵列连接；绝缘层覆盖引线，并暴露微电极阵列和焊盘。本公开利用柔性微纳电极阵列同时检测及调控跨海马与皮层脑区的单细胞动作电位信号、细胞群体场电位信号及实时波动的神经递质信号，有利于分析癫痫活动的时空扩散，实现癫痫灶的精准定位，从而指导手术规划与导航。

主权项：1.一种癫痫灶定位脑深部柔性微纳电极阵列的制备方法，包括：在硅或玻璃衬底上沉积柔性基底层；采用光刻法，在所述基底层上形成第一版图形化的光刻胶，溅射金属，经剥离形成导电层；在所述导电层上沉积绝缘层；采用光刻法，在所述绝缘层上形成第二版图形化的光刻胶，以第二版图形化的光刻胶为掩模，刻蚀所述绝缘层至使微电极阵列和焊盘裸露；采用光刻法，形成第三版图形化的光刻胶，溅射金属，经剥离工艺在所述微电极阵列的电极轮廓上形成硬掩模；采用干法刻蚀，刻蚀轮廓外围所述基底层直至刻透轮廓，裸露所述衬底；采用湿法腐蚀，通过酸溶液腐蚀掉所述电极轮廓上方硬掩模；在水中释放所述微电极阵列；在所述微电极阵列的检测位点上修饰纳米粒子，得到癫痫灶定位脑深部柔性微纳电极阵列；其中，所述癫痫灶定位脑深部柔性微纳电极阵列包括：基底层，为具有生物相容性的柔性材料，呈尖刀型轮廓；导电层，形成于所述基底层上；所述导电层包括：微电极阵列，所述微电极阵列包括多个检测位点；多个所述检测位点纵向错位分布，纵向跨越海马脑区和皮层脑区，所述海马脑区包括CA1海马亚区、DG海马亚区和CA3海马亚区；以及焊盘，通过引线与所述微电极阵列连接；以及绝缘层，为具有生物相容性的柔性材料，呈尖刀型轮廓；所述绝缘层形成于所述导电层上；所述绝缘层覆盖所述引线，并暴露所述微电极阵列和所述焊盘。

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