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【发明授权】一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法_中科立民新材料(扬州)有限公司_202311427652.9 

申请/专利权人:中科立民新材料(扬州)有限公司

申请日:2023-10-30

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN117401975B

主分类号:C04B35/50

分类号:C04B35/50;H01C7/04;C04B35/468;C04B35/622;C04B41/88

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要:本发明涉及一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法,热敏电阻材料以碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和七氧化四铽为原料,所述热敏电阻材料的化学组成体系为BaSm2‑xTbxTi4O12,结构属于斜方晶系,空间群为Pbnm,0≤x≤0.3。采用本发明所述方法制备的斜方钨青铜型高温热敏电阻材料性能稳定、一致性好、阻温曲线线性度高,适合制造高温热敏电阻器。

主权项:1.一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料,其特征在于,所述热敏电阻材料以碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和七氧化四铽为原料,所述热敏电阻材料的化学组成体系为BaSm2-xTbxTi4O12,结构属于斜方晶系,空间群为Pbnm,0x≤0.3。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中科立民新材料(扬州)有限公司 一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法

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