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申请/专利权人：无锡利普思半导体有限公司
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118039508B
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L23/492;H01L23/24;H01L21/54
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明涉及功率模块内部连接工艺，包括以下步骤：成型金属片；将所述金属片的第一接触部与芯片电气连接；向功率模块内灌注绝缘材料，所述金属片的第二接触部露出于绝缘材料上方；将所述第二接触部与金属板电气连接。本发明通过先电气连接金属片与芯片、再灌注绝缘材料、最后电气连接金属片与金属板，便于调节金属片与芯片的位置，降低了金属片与芯片之间的定位难度，简化了加工工艺，且对金属片进行电气连接所需能量小，产生的机械应力小，对芯片损伤风险小，产品良率高。同时，绝缘材料能够在电气连接时阻挡飞屑、吸收机械震动，起到保护芯片的作用。
主权项：1.功率模块内部连接工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，成型金属片（1）；所述成型金属片（1）的步骤包括：步骤S11，成型金属片（1）的第一接触部（11）和连接部（12）；步骤S2，将所述金属片（1）的第一接触部（11）与芯片（8）电气连接；步骤S3，向功率模块内灌注绝缘材料（4），所述金属片（1）的第二接触部（13）露出于绝缘材料（4）上方；步骤S31，金属板（2）上开设通孔（21）；步骤S32，所述金属片（1）穿过所述通孔（21）；步骤S33，采用折弯工艺折弯连接部（12）上露出绝缘材料（4）的部分成型所述金属片（1）的第二接触部（13）；步骤S4，将所述第二接触部（13）与所述金属板（2）电气连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡利普思半导体有限公司 功率模块内部连接工艺
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