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氮化物荧光体及其制造方法 

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申请/专利权人:日亚化学工业株式会社

摘要:本发明涉及一种氮化物荧光体的制造方法,该方法包括:将包含选自Y、La、Ce、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素的化合物在800℃以上且1800℃以下范围内的温度下进行热处理,得到微晶直径为150nm以上的第1热处理物;和在1200℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含上述第1热处理物、以及根据需要含有的原料的混合物进行热处理,得到第2热处理物,作为根据需要包含的原料,包括选自Y、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素M的M源、La源、Si源以及Ce源,上述混合物被制成使这些原料成为组成式LawMxSi6Ny:Cez所示的组成。在上述组成式中,w、x、y及z满足0.5≤w≤4.5、0<x≤1.5、0≤y≤12、0<z≤1.5、0.15<x+z<3.0、3.0≤w+x+z≤7.5。

主权项:1.一种氮化物荧光体的制造方法,该方法包括:在800℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含选自Y、La、Ce、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素的化合物进行热处理,得到微晶直径为150nm以上的第1热处理物;和在1200℃以上且1800℃以下范围内的温度下对包含所述第1热处理物以及根据需要包含的原料的混合物进行热处理,得到第2热处理物,作为根据需要包含的原料,包含La源、Si源、Ce源以及含有选自Y、Lu及Gd中的至少1种稀土类元素M的M源,所述混合物被制成使所述第1热处理物以及作为根据需要包含的原料的M源、La源、Si源和Ce源具有下述式1所示的给料组成,LawMxSi6Ny:Cez1在所述式1中,w、x、y及z满足0≤w≤4.5、0<x≤1.5、0≤y≤12、0<z≤1.5、0.15<x+z<3.0、3.0≤w+x+z≤7.5,作为所述第2热处理物得到的氮化物荧光体具有下述式2所示的组成,LapMqSi6Nr:Ces2在所述式2中,p、q、r及s满足0.5≤p≤3.05、0<q≤1.2、10≤r≤12、0<s≤1.2、0.05<q+s≤2.4、2.9≤p+q+s≤3.1。

全文数据:

权利要求:

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