申请/专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司

申请日：2023-05-31

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN116654942B

主分类号：C01B33/03

分类号：C01B33/03;C01B33/107;G05B19/418

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2024.03.29#专利申请权的转移;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本申请涉及一种多晶硅还原原料中回收高纯二硅测算控制方法及系统，将回收氯硅烷通入分离塔中，从分离塔的塔顶采出气态的回收DCS，控制采出流速为V2，从分离塔300的塔侧采出DCS与TCS的气态混合物A，将氢化精馏得到的气态合成TCS与气态混合物A混合得到气态混合物C，气态混合物C中DCS的摩尔占比为B％，B％满足以下公式：V1*S1*A％‑V2*S2*P1M1V3*S3+V4*S4*P2M2＝B％。将还原尾气中的DCS回收代替现有技术中外购而来的DCS，且能够精准控制含量，还能够使得还原工艺用原料中杂质含量低，进而能够使得所生产的多晶硅杂质含量低，品质高。

主权项：1.一种多晶硅还原原料中回收高纯二硅测算控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.对还原尾气进行分离回收得到气态的回收氯硅烷；S20.将所述回收氯硅烷通入分离塔（300）中，并检测所述回收氯硅烷的流速V1，所述分离塔（300）可将所述回收氯硅烷中的轻组分从塔顶排出，中组分从塔侧排出，重组分从塔底排出；S30.从所述分离塔（300）的塔顶采出气态的回收DCS，控制采出流速为V2，从所述分离塔（300）的塔侧采出DCS与TCS的气态混合物A，检测采出流速为V3，检测所述分离塔（300）的塔底采出流量V5，满足以下公式：V2*S2+V3*S3+V5*S5=V1*S1，且（V2*S2+V3*S3）=V1*S1*（25%至30%）；S40.将氢化精馏得到的气态合成TCS按照流速V4与所述气态混合物A混合得到气态混合物C，所述气态混合物C中DCS的摩尔占比为B%，将所述气态混合物C作为还原工艺用原料通入还原炉（100）进行还原反应制备多晶硅，所述B%满足以下公式：（（（V1*S1*A%-V2*S2）*P1）M1）（（（V3*S3+V4*S4）*P2）M2）=B%：其中，S1、S2、S3、S4和S5为相对应管道的横截面积，A%为所述回收氯硅烷中DCS的质量占比，P1为DCS的密度，M1为DCS的摩尔质量，P2为气态混合物C的拟合密度，M2为气态混合物C的拟合摩尔质量，S1、S2、S3、S4、S5、P1、M1、P2、M2、V4为固定值，V1、V3、V5、A%为检测值，通过调节V2的大小以控制B%的稳定性。

全文数据：

权利要求：

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