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申请/专利权人：本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
申请日：2021-07-30
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN115700578B
主分类号：G06F30/398
分类号：G06F30/398;G06F17/11;G06F17/16;G06N10/20;G06N10/40;G06F111/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2023.06.16#著录事项变更;2023.02.24#实质审查的生效;2023.02.07#公开
摘要：本发明公开了一种载流子输运仿真方法、装置、介质及电子装置，本发明通过确定半导体器件中载流子输运的物理仿真模型、初始条件和或边界条件；确定求解所述物理仿真模型对应的泛定方程；基于所述初始条件和或所述边界条件、所述泛定方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真，进而实现了对半导体器件中载流子输运的研究。
主权项：1.一种载流子输运仿真方法，其特征在于，所述方法包括：基于有限体积法将半导体器件的几何模型网格化，得到多个第一控制体积，并确定每个所述第一控制体积的初始条件和边界条件；确定所述半导体器件中载流子输运的物理仿真模型和求解所述物理仿真模型对应的泛定方程；基于所述边界条件和所述泛定方程确定所述半导体器件中的载流子密度；基于所述半导体器件中的载流子密度确定所述几何模型中载流子密度大于或等于预设阈值的目标区域；基于有限体积法将所述目标区域网格化，得到多个第二控制体积，所述第二控制体积小于所述第一控制体积；基于多个所述第二控制体积确定新的所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备
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