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申请/专利权人：辽宁东科电力有限公司
申请日：2022-11-29
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN115928128B
主分类号：C25B11/089
分类号：C25B11/089;C25B11/065;C25B3/07
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2023.04.25#实质审查的生效;2023.04.07#公开
摘要：本发明涉及一种高致密Bi‑Sn三维电极及其制备方法，及其在电催化CO2还原制甲酸中的应用，首先通过在三维碳基底表面电沉积高致密Sn颗粒作为形核生长位点，再生长Bi枝晶，进一步通过化学氧化‑电化学还原法制备Bi‑Sn纳米颗粒，得到高致密Bi‑Sn三维电极。本发明制备的高致密Bi‑Sn三维电极能高稳定高选择地电催化还原CO2制甲酸，且制备工艺简单，成本低廉，环境友好，易于工业化生产。
主权项：1.一种高致密Bi-Sn三维电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将四水合氯化锡溶于去离子水中得到SnCl4溶液；将五水合硝酸铋溶于1.2molL-1冰醋酸溶液中得到Bi3+电沉积液；将碳酸氢钾溶于去离子水中得到KHCO3溶液；2）以三维碳基底为工作电极、Pt片为对电极、AgAgCl饱和KCl电极为参比电极，以步骤1）制备的SnCl4溶液为电解液，对工作电极施加-5～-2Vvs.AgAgCl的恒定电位电沉积20～70s，得到SnC电极，用清水清洗数次，备用；3）以步骤2）得到的SnC电极为工作电极、Pt片为对电极、AgAgCl饱和KCl电极为参比电极，以步骤1）制备的Bi3+电沉积液为电解液，对工作电极施加-1.2～-0.4Vvs.AgAgCl的恒定电位电沉积80～200s，得到枝晶状Bi-SnC电极，用清水清洗数次，备用；4）将步骤3）得到的枝晶状Bi-SnC电极浸泡在通入饱和O2的KHCO3溶液中，浸泡时间为12～48h，得到Bi2O2CO3-SnC电极，用清水清洗数次，备用；5）以步骤4）得到的Bi2O2CO3-SnC电极为工作电极、Pt片为对电极、AgAgCl饱和KCl电极为参比电极，以通入饱和N2的KHCO3溶液为电解液，对工作电极施加-1.9～-1.0Vvs.AgAgCl的恒定电位电沉积0.5～3h，得到高致密Bi-Sn三维电极，用清水清洗数次。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 辽宁东科电力有限公司 一种高致密Bi-Sn三维电极及其制备方法与应用
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