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申请/专利权人：南京理工大学
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222989A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开提供了一种磁控溅射制备大面积Bi2O2Se半导体薄膜的方法，属于半导体材料技术领域。其步骤为：以Bi2O2Se靶材作为靶材，在清洗干净的衬底上进行真空磁控溅射，溅射过程中保持温度在450℃至600℃之间。本发明利用磁控溅射技术，改变溅射腔的温度，利用其控制Bi2O2Se薄膜的生长温度，生产出大面积的连续薄膜，其厚度均匀、工艺操作难度低、工艺流程简单、效率高、重复率高。
主权项：1.一种大面积Bi2O2Se半导体薄膜的制备方法，其特征在于，以Bi2O2Se靶材作为靶材，在清洗干净的衬底上进行真空磁控溅射，溅射过程中保持温度在450℃至600℃之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种磁控溅射制备大面积Bi2O2Se半导体薄膜的方法
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皖公网安备 34010402703815号