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申请/专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223126A
主分类号：C30B29/16
分类号：C30B29/16;C30B13/00;C30B25/20;H01L29/24;H01L31/032
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供Sb掺质β‑Ga2O3晶体材料、其制备方法和用途，所述Sb掺质β‑Ga2O3晶体材料含有Sb5+，所述Sb掺质β‑Ga2O3晶体材料的分子式为SbxGa1‑x2O3，其中2×10‑9≤x≤0.01。在掺质离子进入晶格浓度相同的前提下，相比掺质其他元素，本发明的Sb掺质β‑Ga2O3晶体材料可以获得更高的载流子浓度。
主权项：1.一种Sb掺质β-Ga2O3晶体材料，其特征在于，所述Sb掺质β-Ga2O3晶体材料含有Sb5+，所述Sb掺质β-Ga2O3晶体材料的分子式为SbxGa1-x2O3，其中2×10-9≤x≤0.01。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州富加镓业科技有限公司 Sb掺质β-Ga2O3晶体材料、其制备方法和用途
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皖公网安备 34010402703815号