申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

申请日：2024-03-29

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118223109A

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B27/02;C30B29/22;C30B15/14

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：一种硅酸钇镥晶体的生长方法包括步骤：S1：按照硅酸钇镥晶体化学式Lu1‑xYx2SiO5，x＝0.05，将Lu2O3粉料、Y2O3粉料和SiO2粉料按重量比80.3‑86.4％:2.6‑8％:11‑11.7％混料；S2：采用冷等静压将混料压成块料；S3，将块料烧结形成烧结饼料；S4，将烧结饼料装入铱坩埚中；S5，对提拉法晶体生长设备抽真空；S6，在步骤S5完成后，充氮气以使压力达到0.02MPa，之后关闭气接入口；S7，开启对铱坩埚的加热，升温融化铱坩埚内的烧结饼料；S8，在烧结饼料完全融化形成熔体后，维持铱坩埚的温度不变；S9，在步骤S8之后，直拉进行晶体生长，拉晶杆提拉的速度vmmh与晶体重量wkg的关系为v＝1.6‑0.8expw14.3；S10，晶体生长完成后，停止加热、降温、置换气体为空气后，打开提拉法晶体生长设备，将晶棒从拉晶杆上剪下。

主权项：1.一种硅酸钇镥晶体的生长方法，其特征在于，包括步骤：S1，混料：按照硅酸钇镥晶体化学式Lu1-xYx2SiO5，x＝0.05，将Lu2O3粉料、Y2O3粉料和SiO2粉料按重量比80.3-86.4％:2.6-8％:11-11.7％混料；S2，压块：在100-250MPa压力下采用冷等静压将混料压成块料；S3，烧结：将块料在200-1400℃下烧结10-20h形成烧结饼料；S4，装炉：将烧结饼料装入提拉法晶体生长设备的铱坩埚中；S5，通过提拉法晶体生长设备的抽真空接口和气接入口对提拉法晶体生长设备抽真空，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S6，在步骤S5完成后，关闭提拉法晶体生长设备的抽真空接口，从气接入口充氮气至提拉法晶体生长设备内，以使提拉法晶体生长设备内的压力达到0.02MPa，之后关闭气接入口；S7，开启对铱坩埚的加热，升温融化铱坩埚内的烧结饼料；S8，在烧结饼料完全融化形成熔体后，维持铱坩埚的温度不变；S9，在步骤S8之后，拉晶杆带动籽晶向下运动进入铱坩埚内、从熔体表面浸入、之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒，在晶体生长过程中铱坩埚固定不动而拉晶杆保持旋转，直拉过程包括引晶、细径、放肩、转肩、等径以及脱离工序，其中，拉晶杆提拉的速度vmmh与晶体重量wkg的关系为v＝1.6-0.8expw14.3；S10，晶体生长完成后，停止加热、降温、再次通过真空泵经由抽真空接口和气接入口置换提拉法晶体生长设备内的气体为空气后，打开提拉法晶体生长设备，将晶棒从拉晶杆上剪下。

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