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【发明授权】一种利用含硅固废制备杂质包覆型Si2N2O的方法、制备所得Si2N2O及其应用_安徽工业大学_202310155989.2 

申请/专利权人:安徽工业大学

申请日:2023-02-20

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN116253299B

主分类号:C01B21/068

分类号:C01B21/068;C01B21/00;C04B35/58;C04B35/584

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2023.06.30#实质审查的生效;2023.06.13#公开

摘要:本发明公开了一种利用含硅固废制备杂质包覆型Si2N2O的方法、制备所得Si2N2O及其应用,属于二次资源利用技术领域。本发明的一种利用含硅废料制备杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体的方法,将硅灰和晶体硅切割废料混合后一起进行循环热震处理,构筑硅氧化物包覆金属杂质核壳结构,然后对所得包覆结构进行原位氮化处理,即制备得到杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体。本发明不仅有效利用了光伏产业中产生的硅灰和切割废料,实现了“以废治废”,而且制备的Si2N2O陶瓷粉体具有杂质包覆型结构,能够应用于晶体硅拉晶及铸锭所用的坩埚涂层,实现了固废资源的“闭环处理”。

主权项:1.一种利用含硅废料制备杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体的方法,其特征在于:将硅灰和晶体硅切割废料混合后一起进行循环热震处理,构筑硅氧化物包覆金属杂质核壳结构,然后对所得包覆结构进行原位氮化处理,即制备得到杂质包覆型Si2N2O陶瓷粉体;热震处理的温度区间为室温~(1100~1300)℃,室温和高温的停留时间分别为1~10min,热震循环次数为5~20次,且循环热震处理时通入Ar气作为保护气体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽工业大学 一种利用含硅固废制备杂质包覆型Si2N2O的方法、制备所得Si2N2O及其应用

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