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申请/专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日：2023-10-11
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221150024U
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L23/31;H01L23/29
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本实用新型提供一种降低漏电流的台面晶体管，台面结构包括芯片，芯片上形成有基区、氧化层、铝电极和台面槽；所述的台面槽内从下至上依次覆盖有SIPOS层、Si3N4层及玻璃钝化层；所述的基区上形成有引线孔，所述铝电极正对且填充于所述的引线孔中。本实实用新型将SIPOS、Si3N4以及玻璃钝化结构结合，集中了各自的有点，集成到晶体管台面槽表面作为集成保护；通过SIPOS、Si3N4和玻璃层的电荷变化，减少了台面槽内裸露的PN结的漏电流，从而减少了晶体管的漏电流，提高晶体管的可靠性。
主权项：1.一种降低漏电流的台面晶体管，其特征在于包括芯片，芯片上形成有基区1、氧化层3、铝电极4和台面槽；所述的台面槽内从下至上依次覆盖有SIPOS层5、Si3N4层6及玻璃钝化层2；所述的基区1上形成有引线孔，所述铝电极4正对且填充于所述的引线孔中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏东晨电子科技有限公司 一种降低漏电流的台面晶体管
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