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【发明公布】台面器件_力特半导体(无锡)有限公司_202211627934.9 

申请/专利权人:力特半导体(无锡)有限公司

申请日:2022-12-16

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118213330A

主分类号:H01L23/31

分类号:H01L23/31;H01L23/29;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/56;H01L21/329

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明涉及台面器件,更具体涉及一种半导体器件装置、结构及其相关方法。该装置包括基底硅层、耦接到基底硅层的下部硅层、耦接到基底硅层的上部硅层、多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和下部硅层的至少一个玻璃钝化层、以及多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和上部硅层的至少另一玻璃钝化层。该装置还包括台面层,该台面层被配置为耦接到下部硅层,并且还被配置为向外延伸到至少另一玻璃钝化层。

主权项:1.一种装置,包括:基底硅层;耦接到所述基底硅层的下部硅层;耦接到所述基底硅层的上部硅层;多个玻璃钝化层中的至少一个玻璃钝化层,被配置为耦接到所述基底硅层和所述下部硅层;多个玻璃钝化层中的至少另一玻璃钝化层,被配置为耦接到所述基底硅层和所述上部硅层;以及台面层,被配置为耦接到所述下部硅层,并且还被配置为向外延伸到所述至少另一玻璃钝化层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 力特半导体(无锡)有限公司 台面器件

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