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申请/专利权人：意法半导体(R&D)有限公司;意法半导体(克洛尔2)公司
摘要：本公开涉及光电子器件。一种光电子器件，包括：单光子雪崩二极管阵列；其中每个单光子雪崩二极管在衬底的一部分中；其中每个部分具有由第一壁界定的八边形轮廓，第一壁形成围绕该部分的八边形外形；其中第一壁包括：彼此平行延伸的两个第一部分；彼此平行延伸的两个第二部分；彼此平行延伸的两个第三部分；以及彼此平行延伸的两个第四部分；其中单光子雪崩二极管阵列的相同行中的相邻单光子雪崩二极管的第一壁共享第一公共部分；以及其中单光子雪崩二极管阵列的相同列中的相邻单光子雪崩二极管的第一壁共享公共的第三部分。利用本公开的实施例有利地使光电子器件具有更好的定时特性，并且使得SPAD阵列的密度更高。
主权项：1.一种光电子器件，其特征在于，包括：单光子雪崩二极管阵列；其中每个单光子雪崩二极管在衬底的一部分中；其中每个部分具有由第一壁界定的八边形轮廓，所述第一壁形成围绕该部分的八边形外形；其中所述第一壁包括：彼此平行延伸的两个第一部分；彼此平行延伸的两个第二部分；彼此平行延伸的两个第三部分；以及彼此平行延伸的两个第四部分；其中所述单光子雪崩二极管阵列的相同行中的相邻单光子雪崩二极管的所述第一壁共享第一公共部分；以及其中所述单光子雪崩二极管阵列的相同列中的相邻单光子雪崩二极管的所述第一壁共享公共的第三部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(R&D)有限公司 意法半导体(克洛尔2)公司 光电子器件
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