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申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
摘要：本发明提供一种雪崩光电探测器及其制作方法，该雪崩光电探测器包括衬底、外延结构、上电极层及微纳结构，其中，外延结构位于衬底上方，外延结构包括上电极接触层，上电极层位于上电极接触层上方，微纳结构位于衬底上方，微纳结构还位于上电极层中和或上电极接触层中，微纳结构包括多个间隔排列的孔洞。该雪崩光电探测器通过设置位置灵活的微纳结构以实现对于入射光的增强吸收，兼具高带宽及高量子效率性能，此外，通过对微纳结构的具体结构进行调节能够将对入射光的吸收增强峰根据实际需要调整到光通讯系统所用的光信号波长范围，适用于各种波长比较固定的红外信号探测应用场景。该制作方法的制作工艺成熟，易于实现大规模生产。
主权项：1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上方，所述外延结构包括上电极接触层；上电极层，位于所述上电极接触层上方，所述上电极层中具有一垂向贯穿所述上电极层的凹槽，所述凹槽显露所述上电极接触层朝向所述上电极层的一面的至少一部分；微纳结构，位于所述上电极接触层中，所述凹槽显露所述微纳结构，所述微纳结构包括多个间隔排列的孔洞，所述微纳结构利用入射光线在所述孔洞中与所述上电极接触层中折射率的不同产生的振荡响应以将入射光线束缚在所述孔洞中以提高光吸收率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 一种雪崩光电探测器及其制作方法
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