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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213856A
主分类号：H01S5/34
分类号：H01S5/34;H01S5/028
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种具有马约拉纳零能束缚态层的半导体激光元件。该具有马约拉纳零能束缚态层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述上波导层与所述有源层之间以及所述下波导层与所述有源层之间均具有马约拉纳零能束缚态层；所述马约拉纳零能束缚态层的边缘和表面为受拓扑保护的零能隙马约拉纳费米子，费米能级处产生螺旋结构的狄拉克锥能带，诱导产生马约拉纳零能束缚态；该具有马约拉纳零能束缚态层的半导体激光元件，能够实现降低阈值电流，降低激光器功耗和能耗减慢激光器的老化过程，延长其使用寿命。
主权项：1.一种具有马约拉纳零能束缚态层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与所述有源层之间以及所述下波导层与所述有源层之间均具有马约拉纳零能束缚态层；所述马约拉纳零能束缚态层的边缘和表面为受拓扑保护的零能隙马约拉纳费米子，费米能级处产生螺旋结构的狄拉克锥能带，诱导产生马约拉纳零能束缚态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有马约拉纳零能束缚态层的半导体激光元件
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