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【发明公布】包含堆叠存储器层面的集成组合件及集成组合件形成方法_北极星特许集团有限责任公司_202410312979.X 

申请/专利权人:北极星特许集团有限责任公司

申请日:2020-11-27

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118215295A

主分类号:H10B43/27

分类号:H10B43/27;H10B43/35

优先权:["20191202 US 16/700,877"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本申请案涉及包含堆叠存储器层面的集成组合件及集成组合件形成方法。一些实施例包含一种集成组合件,其具有:第一层面,其具有第一存储器单元;及第二层面,其具有第二存储器单元。所述第一存储器单元具有包含竖直地在第二导电材料的水平延伸条之间的第一导电材料的第一控制栅极区。所述第二存储器单元具有包含沿第三导电材料的外表面的第四导电材料的第二控制栅极区。柱穿过所述第一层面及所述第二层面。所述柱包含横向环绕沟道材料的电介质势垒材料。所述第一材料及所述第四材料直接抵靠所述电介质势垒材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

主权项:1.一种设备,其包括:第一层面12,其中所述第一层面12包括:第一存储器单元70,其布置在彼此上下安置的第一层级16中;以及第一内横向边缘82;第二层面32,其在所述第一层面12上方,其中所述第二层面32包括:第二存储器单元72,其布置在彼此上下安置的第二层级36中;以及第二内横向边缘84;层面间结构30,其在所述第一层面12与所述第二层面32之间,其中所述层面间结构30包括:蚀刻停止材料46,其抵靠所述第一层面12;以及第一层面间材料44,其具有第三内横向边缘86,其中所述第一内横向边缘82、所述第二内横向边缘84和所述第三横向边缘86相对于彼此大体上是直的;以及柱61,其穿过所述第一层面12、所述第二层面32以及所述层面间结构30,其中所述柱61包括沟道材料52、隧穿材料54、电荷存储材料56、电荷阻挡材料58及电介质势垒材料60。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北极星特许集团有限责任公司 包含堆叠存储器层面的集成组合件及集成组合件形成方法

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