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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2021-12-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114815046B
主分类号：G02B6/12
分类号：G02B6/12
优先权：["20210119 US 17/151,955"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开
摘要：本发明涉及光子芯片的后段工艺堆叠中的边缘耦合器，揭示一种包括边缘耦合器的结构和形成包括边缘耦合器的结构的方法。该结构包括位于介电层上面的波导芯以及位于介电层和波导芯上面的后段工艺堆叠。后段工艺堆叠包括侧边和与波导芯的锥形区段重叠的截断层。截断层具有与侧边相邻的第一端面和位于波导芯的锥形区段上方的第二端面。截断层从第一端面到第二端面逐渐变细。
主权项：1.一种用于边缘耦合器的结构，该结构包括：介电层；波导芯，位于该介电层上，该波导芯包括锥形区段；以及后段工艺堆叠，位于该介电层和该波导芯上面，该后段工艺堆叠包括侧边，与该波导芯的该锥形区段重叠的第一截断层，第二截断层与该波导芯的该锥形区段重叠，和第三截断层与该波导芯的该锥形区段重叠，该第一截断层、该第二截断层、和该第三截断层各具有与该侧边相邻的第一端面和位于该波导芯的该锥形区段上方的第二端面，且该第一截断层、该第二截断层、和该第三截断层各从该第一端面到该第二端面逐渐变细。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 光子芯片的后段工艺堆叠中的边缘耦合器
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