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申请/专利权人：北京中电宏业科技有限公司
申请日：2024-05-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213367A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种射频前端芯片的版图布局，包括单胞晶体管T1，所述单胞晶体管T1结构为源极‑漏极‑源极，所述单胞晶体管T1包括漏极既信号输出节点OUTPUT、栅极既信号输入节点INPUT和源极接地，所述栅极接入偏置节点BIAS；两对或多对所述单胞晶体管T1的信号输入节点INPUT之间、偏置节点BIAS之间和信号输出节点OUTPUT之间经金属导电层M2以并联方式连接，两对或多对所述单胞晶体管T1的源极之间经金属导电层M1以并联方式一同接地，所述金属导电层M1和金属导电层M2之间具有绝缘介质层；以实现满足晶体管栅极工艺流程的前提下，缩小了使用晶圆面积，同时也提升了所述射频放大器的电器连接质量。
主权项：1.一种射频前端芯片的版图布局，其特征在于：包括单胞晶体管T1，所述单胞晶体管T1包括漏极既信号输出节点OUTPUT、栅极既信号输入节点INPUT和源极接地，所述栅极接入偏置节点BIAS；两对或多对所述单胞晶体管T1的信号输入节点INPUT之间、偏置节点BIAS之间和信号输出节点OUTPUT之间经金属导电层M2以并联方式连接，两对或多对所述单胞晶体管T1的源极之间经金属导电层M1以并联方式一同接地，所述金属导电层M1和金属导电层M2之间具有绝缘介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中电宏业科技有限公司 一种射频前端芯片的版图布局
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