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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：基底，所述基底内形成有漂移区和体区；栅极结构，位于所述基底上且覆盖部分漂移区和部分体区；漏区，位于所述栅极结构一侧的漂移区内；源区，位于所述栅极结构另一侧的体区内；金属硅化物场板，位于所述栅极结构与所述漏区之间的漂移区上。本发明技术方案能够提高低金属硅化物场板对漂移区的调制作用，降低栅极结构和漏区之间的电场，提高器件击穿电压，进而提高所形成的LDMOS器件的性能。
主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：基底，所述基底内形成有漂移区和体区；栅极结构，位于所述基底上且覆盖部分漂移区和部分体区；源区，位于所述栅极结构一侧的体区内；漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；金属硅化物场板，位于所述栅极结构与所述漏区之间的漂移区上。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 LDMOS器件及其形成方法
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