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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供一种集成BTO电光调制器的硅光芯片及其制作方法，上述集成BTO电光调制器的硅光芯片包括硅光芯片、BTO调制器及包覆层；包覆层设于硅光芯片上，BTO调制器嵌设于包覆层内；其中，BTO调制器包括BTO层、第一电极和第二电极；BTO层设于硅光芯片上，第一电极和第二电极分别设于BTO层的两侧。该结构及方法不需要使用昂贵的SOI衬底来外延BTO薄膜，即没有STO缓冲层，通过湿法去衬底直接将高质量的BTO外延单晶薄膜后道集成在硅光前道衬底上；利用其制备的调制器件移相器件具有高调制效率、低损耗，提高集成芯片性能，且不需要改变成熟的硅光前道制程，成本低、适用性广、简便易行。
主权项：1.一种集成BTO电光调制器的硅光芯片，其特征在于，包括：硅光芯片、BTO调制器及包覆层；所述包覆层设于所述硅光芯片上，所述BTO调制器嵌设于所述包覆层内；其中，所述BTO调制器包括BTO层、第一电极和第二电极；所述BTO层设于所述硅光芯片上，所述第一电极和所述第二电极分别设于所述BTO层的两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种集成BTO电光调制器的硅光芯片及其制作方法
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