龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2022-05-24
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216225A
主分类号：H10B43/27
分类号：H10B43/27;H10B43/50;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/50;H10B41/35
优先权：["20220228 US 17/682,515","20220228 US 17/682,550"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：形成穿过三维存储器器件中的后向阶梯式介电材料部分到达下层蚀刻停止结构的接触通孔开口。该蚀刻停止结构能够包括覆盖楼梯区中的阶梯式表面的阶梯式导电或半导体蚀刻停止板。该接触通孔开口延伸穿过该蚀刻停止结构。另选地，包括该楼梯区中的最顶部虚设导电层的导电层能够用作蚀刻停止结构。在此情况下，该接触通孔开口能够延伸穿过该导电层。绝缘间隔物形成在延伸的接触通孔开口的外围区处。由该绝缘间隔物围绕的接触通孔结构形成在该延伸的接触通孔开口中到达相应下层导电层。
主权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于衬底上方，其中所述交替堆叠包括：楼梯区，在所述楼梯区中，所述导电层的横向范围随着距所述衬底的竖直距离而减小；后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分覆盖所述交替堆叠的所述楼梯区；存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述交替堆叠，其中所述存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜；导电或半导体穿孔蚀刻停止板，所述导电或半导体穿孔蚀刻停止板插置在所述交替堆叠与所述后向阶梯式介电材料部分的阶梯式底部表面之间；和横向绝缘接触结构，所述横向绝缘接触结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分并且穿过所述穿孔蚀刻停止板中的穿孔开口中的相应一个穿孔开口，其中所述横向绝缘接触结构中的每个横向绝缘接触结构包括接触通孔结构与绝缘间隔物的组件，所述接触通孔结构接触所述导电层中的相应一个导电层的顶部表面，所述绝缘间隔物横向围绕所述接触通孔结构并且接触所述穿孔蚀刻停止板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含蚀刻停止结构和自对准绝缘间隔物的三维存储器器件及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号