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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231227A
主分类号：H01L21/027
分类号：H01L21/027;G03F1/42;G03F9/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及一种对准标记的制备方法、对准标记及光罩组，包括提供基底，基底上包括用于进行第一类型对准且形成有对准图案的多个第一类型目标对准区域和多个第一类型副对准区域，采用掺杂层光罩于第一类型目标对准区域的基底表面形成掺杂层，其中，掺杂层为至少包括两个子掺杂层的叠层，采用多晶硅层光罩于掺杂层和部分第一类型副对准区域形成半绝缘多晶硅层，其中，多晶硅层光罩与第一类型目标对准区域的掺杂层光罩中暗场对应的区域的为亮场，半绝缘多晶硅层与亮场对应的位置形成有开口，于半绝缘多晶硅层、掺杂层、基底上形成金属层，其中，对准标记包括基底、掺杂层、半绝缘多晶硅层和金属层，提高了本申请制备的对准标记的对准精度。
主权项：1.一种对准标记的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底上包括用于进行第一类型对准且形成有对准图案的多个第一类型目标对准区域和多个第一类型副对准区域；采用掺杂层光罩于所述第一类型目标对准区域的基底表面形成掺杂层；其中，所述掺杂层光罩包括用于形成所述掺杂层的暗场；所述掺杂层为至少包括两个子掺杂层的叠层；采用多晶硅层光罩于所述掺杂层和部分所述第一类型副对准区域形成半绝缘多晶硅层；其中，所述多晶硅层光罩与所述第一类型目标对准区域的所述掺杂层光罩中暗场对应的区域为亮场，所述半绝缘多晶硅层中与所述亮场对应的位置形成有开口；于所述半绝缘多晶硅层、所述掺杂层、所述基底上形成金属层；其中，所述对准标记包括所述基底、所述掺杂层、所述半绝缘多晶硅层、所述金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 对准标记的制备方法、对准标记及光罩组
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