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申请/专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日：2022-10-31
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216052A
主分类号：H01S5/042
分类号：H01S5/042;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L33/40
优先权：["20211110 JP 2021-183532"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：半导体发光元件10具备：半导体层叠体10S；接触电极40，配置在半导体层叠体10S的上方；以及焊盘层50，配置在接触电极40的上方，含有Au；焊盘层50具有：第一层51a，配置在焊盘层50与接触电极40相接的区域的上方；以及第二层51b，配置在第一层51a的上方，与第一层51a相接；在与接触电极40的主面平行的方向上，第二层51b中的Au的平均粒径比第一层51a中的Au的平均粒径大。
主权项：1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体层叠体；接触电极，配置在上述半导体层叠体的上方；以及焊盘层，配置在上述接触电极的上方，含有Au；上述焊盘层具有：第一层，配置在上述焊盘层与上述接触电极相接的区域的上方；以及第二层，配置在上述第一层的上方，与上述第一层相接；在与上述接触电极的主面平行的方向上，上述第二层中的Au的平均粒径比上述第一层中的Au的平均粒径大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技日本株式会社 半导体发光元件、发光模块及发光模块的制造方法
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