申请/专利权人：首尔半导体株式会社

申请日：2019-01-09

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN110249437B

主分类号：H01L33/50

分类号：H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62

优先权：["20180110 KR 10-2018-0003312","20190102 KR 10-2019-0000235"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2019.09.17#公开

摘要：本发明涉及一种发光装置。根据本发明的一实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。

主权项：1.一种发光装置，其中，包括：基板；第一发光芯片及第二发光芯片，贴装于所述基板上；第一波长转换部件，覆盖所述第一发光芯片的上表面；第二波长转换部件，覆盖所述第二发光芯片的上表面；第一反射部件，覆盖所述第一波长转换部件及所述第二波长转换部件的侧面；阻隔部件，包括围绕所述第一波长转换部件及所述第二波长转换部件的周围的外壁部及布置于所述第一波长转换部件与所述第二波长转换部件之间的内壁部，其中，所述第一反射部位于所述阻隔部件与所述第一波长转换部件及所述第二波长转换部件之间，所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚，所述阻隔部件的内壁部的上表面比所述第一波长转换部件及所述第二波长转换部件的上表面突出。

全文数据：发光装置技术领域本发明涉及一种发光装置。背景技术发光芯片是释放通过电子和空穴的再结合而产生的光的半导体元件，最近，发光芯片利用于各种领域，例如显示器、汽车灯具、一般照明等。发光芯片其寿命较长、耗电量低、响应速度较快，因此正在应用于汽车灯具显示装置等各种领域。图1是显示现有的发光装置的剖视图。参照图1，现有的发光装置10包括发光芯片11、波长转换部件12、阻隔部件14及电路基板15。阻隔部件14由树脂中含有反射物质的材料形成。因此，阻隔部件14起到反射从发光芯片11释放的光的作用。然而，现有的发光装置10使从发光芯片11释放或通过波长转换部件12的侧面的光的一部分光避开反射物质而透过阻隔部件14。尤其，阻隔部件14中与波长转换部件12相邻的拐角部分与侧面和上表面之间的距离较短。即，在阻隔部件14的拐角部分相比于其他部分，反射物质分布较少，并且光的一部分可通过拐角部分而透过。因此，现有的发光装置10发生光朝向除光应当照射的前方区域以外的侧面泄露等的漏光lightleaks现象。图2是示出现有的发光装置的亮度的曲线图。观察图2的A1，可以确认在与第一波长转换部件12相接的阻隔部件14光并未完全阻断，而是有光细微地射出。观察B1，可以确认在第一波长转换部件12与第二波长转换部件12之间的阻隔部件14中也有光射出。并且，观察C1，可以确认在与第二波长转换部件12相接的阻隔部件14也有光射出。若在应用于汽车灯具的发光装置的侧面发生漏光现象，则作为当从汽车灯具释放的光照射至前方时生成的明部和暗部的界线的明暗截止Cutoff线无法清晰地呈现。由此，存在驾驶者照射光至不必要的区域，从而可能妨碍其他驾驶者的视野，并且由于光从发光装置的侧面释放，从而具有发生光损失的问题。发明内容技术课题本发明所要解决的课题在于提供一种可防止漏光的发光装置。本发明所要解决的另一课题在于提供一种可防止光损失的发光装置。本发明所要解决的又一课题在于提供一种可同时解决发光区域的减少和漏光的发光装置。技术方案根据本发明的实施例，提供一种发光装置，其包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。第一发光芯片贴装于基板上。第一波长转换部件覆盖第一发光芯片的上表面。第一反射部件覆盖第一波长转换部件的侧面。并且，阻隔部件包括围绕第一发光芯片及第一反射部件的侧面的外壁部。发明效果根据本发明的实施例的发光装置利用反射部件防止光透过阻隔部件，从而可防止漏光。并且，根据本发明的实施例的发光装置可防止漏光，从而可防止光损失。并且，根据本发明的实施例的发光装置可防止漏光，从而在应用于车辆用灯具时，可确保包括相对向车辆的其他驾驶者的视野，及可确保车辆驾驶者的较长的视野。并且，根据本发明的实施例的发光装置利用反射部件可同时解决发光区域的减少和漏光。附图说明图1是示出现有的发光装置的剖视图。图2是示出现有的发光装置的亮度的曲线图。图3及图4是示出根据本发明的第一实施例的发光装置的示例图。图5及图6是示出根据本发明的第二实施例的发光装置的示例图。图7及图8是示出根据本发明的第三实施例的发光装置的示例图。图9是示出根据本发明的第三实施例的发光装置的亮度的曲线图。图10及图11是示出根据本发明的第四实施例的发光装置的示例图。图12及图13是示出根据本发明的第五实施例的发光装置的示例图。图14是示出根据本发明的第六实施例的发光装置的示例图。图15是示出根据本发明的第七实施例的发光装置的示例图。图16及图17是示出根据本发明的第八实施例的发光装置的示例图。图18是示出根据本发明的第九实施例的发光装置的示例图。图19至图21是示出根据本发明的第十实施例及第十一实施例的发光装置的示例图。图22至图25是示出根据本发明的第十二实施例至第十五实施例的发光装置的示例图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了能够将本发明的思想充分地传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张示出构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素，相似的附图符号表示相似的构成要素。根据本发明的实施例的发光装置包括基板、第一发光芯片、第一波长转换部件及阻隔部件。所述第一发光芯片贴装于所述基板上。所述第一波长转换部件覆盖所述第一发光芯片的上表面。所述第一反射部件覆盖所述第一波长转换部件的侧面。并且，所述阻隔部件包括围绕所述第一发光芯片及所述第一反射部件的侧面的外壁部。所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度可逐渐变厚。或者，所述阻隔部件的上表面可以是平坦的。例如，所述发光装置在所述基板上可贴装有多个所述第一发光芯片。此时，位于所述第一发光芯片和所述基板的侧面之间的所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度可逐渐变厚。并且，位于所述第一发光芯片之间的所述阻隔部件的内壁部的上部可以是凸起的。并且，所述阻隔部件的所述外壁部的填料含量可以比所述内壁部的填料含量更高。并且，发光装置可以是每个所述第一发光芯片形成有所述第一波长转换部件及所述第一反射部件的发光装置。此时，所述第一反射部件与相邻的第一反射部件彼此相隔。例如，所述第一反射部件可覆盖所述波长转换部件的侧面及所述第一发光芯片的侧面。所述第一反射部件可以由银Ag和铝Al中的至少一个构成。并且，所述第一波长转换部件的宽度大于所述第一发光芯片的宽度或与所述第一发光芯片的宽度相同。并且，所述第一波长转换部件可以是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。在此，所述第一波长转换部件还可包括反射物质。例如，发光装置还可包括覆盖所述阻隔部件的上表面的第二反射部件。所述第二反射部件可配置为与所述第一反射部件的上表面接触。所述第二反射部件可覆盖所述第一反射部件的上表面，或可沿所述第一反射部件的上表面的边缘而形成，并覆盖所述阻隔部件的上表面的一部分。或者，所述第二反射部件可覆盖所述阻隔部件的整个上表面，或可覆盖所述阻隔部件的整个上表面及所述第一反射部件的上表面。所述第二反射部件可由银Ag和铝Al中的至少一个构成。所述基板可以是包括绝缘层及电路图案的电路基板。所述电路图案可包括第一电路图案、第二电路图案及过孔。所述第一电路图案可形成于所述绝缘层的上表面，并且与所述第一发光芯片电连接。所述第二电路图案可形成于所述绝缘层的下表面。并且所述过孔贯通所述绝缘层，从而可以使所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案电连接。所述第一电路图案的一端可位于所述第一发光芯片的一侧面和所述阻隔部件的外壁之间的中心。或者，所述第一电路图案的一端可位于第一发光芯片的一侧面和所述阻隔部件的外壁之间的中心和所述阻隔部件的外壁之间。所述过孔可以是宽度从所述绝缘层的上表面及下表面至内部逐渐变窄的结构。多个所述第一发光芯片可以从一方向至另一方向并排布置。此时，所述第一波长转换部件的宽度可以与从位于一方向的第一发光芯片的一侧面至位于其他方向的第一发光芯片的一侧面为止的宽度相同。在此，所述第一发光芯片的一侧面可以是与所述阻隔部件的内壁相向的侧面。例如，发光装置还包括与所述第一发光芯片沿横方向相隔的第二发光芯片。所述第二发光芯片可布置为一侧面与所述第一发光芯片的一侧面相向。所述发光装置还可包括覆盖所述第二发光芯片的上表面的第二波长转换部件。所述第二波长转换部件可是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。并且，所述第一波长转换部件和所述第二波长转换部件可包括彼此不同的波长转换物质，以转换光为彼此不同的波长。所述阻隔部件还可包括位于第一发光芯片和所述第二发光芯片之间的内壁部。在此，所述阻隔部件的所述内壁部的上表面可以是凸起的。并且，所述阻隔部件的所述外壁部的填料含量可以比所述内壁部的填料含量更高。所述发光装置还可包括布置于所述第一反射部件和所述阻隔部件之间而保护所述第一反射部件的保护部件。所述保护部件可包括利用氮化硅膜SiNX、氧化硅SiO2及金Au形成的层中的至少一个层。所述第二波长转换部件还可包括反射物质。以下，参考附图针对本发明的多种实施例进行说明。图3及图4是示出根据本发明的第一实施例的发光装置的示例图。图3是根据本发明的第一实施例的发光装置100的上部平面图。图4是根据本发明的第一实施例的发光装置100的剖视图。参考图3及图4，发光装置100包括发光芯片110、波长转换部件120、反射部件130、阻隔部件140及电路基板150。发光芯片110可以为释放光的发光二极管芯片。发光芯片110布置于电路基板150的上部并与电路基板150电连接。例如，发光芯片110在其下部可形成有电极垫未图示。此时，发光芯片110的电极垫和形成于电路基板150的上部的第一电路图案151可借由导电性键合物质电连接。波长转换部件120布置于发光芯片110的上部。波长转换部件120可形成为覆盖发光芯片110的上表面。波长转换部件120的宽度可与发光芯片110的宽度相同。即，波长转换部件120的侧面和发光芯片的侧面可位于相同线上。波长转换部件120转换从发光芯片110释放的光的波长，以释放白光或特定颜色的光。波长转换部件120可以是在诸如硅树脂或环氧树脂之类的透明树脂、玻璃、陶瓷等中混合有可转换光的波长的波长转换物质的部件。例如，透明树脂可以为透明硅树脂。波长转换物质可以为荧光体。作为荧光体可以使用黄色荧光体、红色荧光体、绿色荧光体等。作为黄色荧光体的示例可以举出以530～570nm波长为主波长的掺杂有铈Ce的钇Y铝Al石榴石YAG：CeT3Al5O12：Ce系列荧光体或硅酸盐silicate系列的荧光体示例。作为红色R荧光体的示例可以举出以611nm波长为主波长的由氧化钇Y2O3和铕Eu的化合物组成的YOXY2O3：EU系列的荧光体或氮化物Nitride荧光体。作为绿色G荧光体的示例可以举出以544nm波长为主波长的磷酸PO4和镧La和铽Tb的化合物的LAPLaPO4：Ce，Tb系列的荧光体。作为蓝色B荧光体的示例可以举出以450nm波长为主波长的钡Ba和锰Mg和氧化铝系列的物质和铕Eu的化合物BAMBaMgAl10O17：Eu系列的荧光体。并且，荧光体可包括作为有利于广色域再现的Mn4+活性剂荧光体的氟化物化合物KSF荧光体K2SiF6。例如，波长转换部件120可以是玻璃中混合有荧光体的荧光粉玻璃复合材料PIG：PhosphorinGlass。若波长转换部件120为PIG，则在防止水分、灰尘等的外部物质渗透至发光装置100内部方面是有效的。并且，波长转换部件120中还可含有反射物质。此时，反射物质应当具有当烧结加工波长转换部件120时不被融化的程度的熔点。例如，由PIG构成的波长转换部件120还可含有二氧化硅SiO2的反射物质。反射部件130形成为围绕波长转换部件120的侧面。反射部件130防止从发光芯片110释放的光透过阻隔部件140。即，反射部件130反射光。或者反射部件130应当是反射光，并且即使吸收一部分光也不会使光透过的材质。例如，反射部件130可以由银Ag及铝Al中的至少一个构成。由银构成的反射部件130具有较高的光反射率。并且，由铝构成的反射部件130与波长转换部件120或阻隔部件140的粘合力较高。如此，以反射率或粘合力为基准，反射部件130可以由利用银或铝构成的一层来形成。或者反射部件130利用由铝-银-铝层叠的多层结构形成，从而可将粘合力和反射率全部提高。虽然附图中未图示，反射部件130上还可布置有利用镍Ni及钛Ti形成的层中的至少一层。并且，反射部件130的材料并不局限于铝和银，只要能够反射从发光芯片110释放的光，则任何材料都可以。阻隔部件140形成为围绕反射部件130和发光芯片110的侧面。例如，阻隔部件140可由硅树脂形成。或者阻隔部件140可以是在硅树脂中含有反射物质的部件。现有技术中为了防止发光芯片和波长转换部件的对齐及防止漏光，形成为使波长转换部件的下表面具有小于发光芯片的上表面的面积。然而，在波长转换部件的下表面具有小于发光芯片的上表面的面积的情况下，发光装置的整个光亮将减小。本实施例中为了增加光量，波长转换部件120的下表面可形成为具有大于发光芯片110的上表面的面积。此时，发光装置100由于波长转换部件120的面积变大，因此阻隔部件140的侧面厚度相对地变薄。然而，发光装置100由于发光芯片110的光在反射部件130反射，因此可防止光透过阻隔部件140而发生漏光。更为优选地，发光装置100考虑整个光度及亮度，如图4所图示，可形成为使发光芯片110的上表面和波长转换部件120的下表面具有相同的面积。此时，发光芯片110的光因反射部件130而无法通过阻隔部件140，从而可防止漏光现象。并且，发光装置100当不仅是反射部件130包含反射物质，波长转换部件120也包括反射物质时，可更加提高反射光的效果以使光无法透过阻隔部件140。根据本实施例，反射部件130的侧面形成为相比于发光芯片110突出。因此，阻隔部件140和布置于阻隔部件140的内部的构成部之间的接合面积相比于没有布置反射部件130的情形得到了增加。因此，提高了阻隔部件140和反射部件130及发光芯片110之间的结合力。根据本实施例，为了防止阻隔部件140覆盖波长转换部件120的上表面，阻隔部件140的材料涂覆为具有低于波长转换部件120的高度。此时，阻隔部件140形成为上表面的高度从内壁至外壁逐渐变低的结构。即，阻隔部件140的上部的厚度朝下部方向逐渐变厚。参考图4，阻隔部件140中形成于反射部件130上部的侧面的部分t1、形成于反射部件130的上部和下部之间的侧面的部分t2、形成于反射部件130下部的侧面的部分t3的厚度依次变厚。根据本发明的实施例，反射部件130位于波长转换部件120和阻隔部件140之间。因此，如果朝向波长转换部件120的侧面的光借被反射部件130反射，则可防止透过阻隔部件140。因此，可防止在波长转换部件120的边缘附近发生漏光现象。并且，阻隔部件140的材料形成为具有低于波长转换部件120的高度，从而即使阻隔部件140的上部成为逐渐变薄的结构也可借由反射部件130而防止漏光。并且，根据本发明的实施例的发光装置100借由反射部件130防止了光放射至不必要的部分，从而可防止光损失。并且，由于借由反射部件130光被反射，因此阻隔部件140可以较薄地形成，从而可减少发光装置的宽度或尺寸。电路基板150包括绝缘层153、第一电路图案151、第二电路图案152及过孔154。绝缘层153可由诸如环氧树脂或预浸料Prepreg之类的在印刷电路基板中所公知的一般的绝缘物质形成。第一电路图案151形成于绝缘层153的上表面。第一电路图案151与发光芯片110的电极垫电连接。为了发光芯片110和第一电路图案151之间的粘合，可形成有导电性的键合物质160。例如，键合物质160可以为包括Sn和Pb、Cu、Ag、Au、Zn、Al、Bi、In中至少一种的焊膏、Ag膏、Si膏中的一种。并且，键合物质160不仅可以为上述种类膏，而且也可以为任何能够键合电路基板150和发光芯片110的导电性物质。第二电路图案152形成于绝缘层153的下表面。虽然未图示，然而第二电路图案152与外部构成部电连接。过孔154形成为贯通绝缘层153。过孔154可以在绝缘层153形成通孔后，以填充导电性物质的方式形成。第一电路图案151、第二电路图案152及过孔154由在电路基板领域中所公知的导电性物质形成。例如，第一电路图案151、第二电路图案152及过孔154可由铜Cu形成。第一电路图案151的一端至少可位于发光芯片110的一侧面和阻隔部件140的外壁之间的中心。即，第一电路图案151可形成为具有其一端位于阻隔部件140和外壁之间的中心或中心和阻隔部件140的外壁之间的程度的长度。第一电路图案151并不暴露于阻隔部件140的外部，并且尽量使其具有大面积，从而可提高发光装置100的散热性能。第二电路图案152也可形成为具有一端如第一电路图案151般长的长度。因此，第二电路图案可具有较大面积而提高发光装置100的散热性能。并且，若第二电路图案152具有较长的长度，则由于绝缘层153和第二电路图案152之间的水分渗透路径变长，从而可防止水分对发光芯片110造成影响。并且，这样的第一电路图案151及第二电路图案152与绝缘层153之间的结合力也得到增加。过孔154具有宽度从绝缘层153的上表面及下表面朝内部逐渐变窄的结构。因此，由于水分渗透路径变长，从而可防止水分对发光芯片110造成影响。并且，由于与绝缘层153之间的接合面积变大，因而过孔154和绝缘层153之间的结合力也得到增加。不具有本实施例的反射部件130的现有的发光装置形成为在阻隔部件含有反射物质。然而，即使阻隔部件含有反射物质，在阻隔部件的上部也会有一部分光将透过。这是因为，即使阻隔部件的上部的厚度薄或上部厚度不薄，拐角部分的厚度也较薄，因此反射物质的密度较低。因此，现有的发光装置沿波长转换部件120的边缘发生漏光现象。如果应用于车辆用灯具的发光装置若漏光严重，则为了考虑到从相反方向驶来的车辆的视野，灯具照明应当朝向下方。因此，包括现有的发光装置的车辆用灯具的车辆的照明所照射的距离将受到限制。如本发明的实施例，若通过反射部件130解决漏光，则即可考虑到包括从相反方向驶来的车辆的其他驾驶者的视野，也可对车辆驾驶者确保更长的视野。以下，在针对另一实施例的说明中，将省略针对与第一实施例的发光装置100相同的构成的说明。省略的说明将参考针对图3及图4的第一实施例的发光装置100的说明。图5及图6是示出根据本发明的第二实施例的发光装置的示例图。图5是根据本发明的第二实施例的发光装置200的上部平面图。并且，图6是根据本发明的第二实施例的发光装置200的剖视图。根据第二实施例的发光装置200包括多个发光芯片、波长转换部件120、反射部件130、阻隔部件140及电路基板150。图5及图6中多个发光芯片可由第一发光芯片211至第四发光芯片214构成。虽然本实施例中以四个发光芯片为示例进行说明，然而发光芯片的数量可变更。第一发光芯片211至第四发光芯片214全部释放相同的颜色的光，或至少一个可释放不同的颜色的光。并且，本实施例中第一发光芯片211至第四发光芯片214沿发光装置200的长度方向彼此相隔地布置。然而发光芯片的排列可多样地变更。波长转换部件120布置为覆盖第一发光芯片211至第四发光芯片214的上表面。此时，波长转换部件120的宽度与从位于一方向的第一发光芯片211的一侧面至位于另一方向的第四发光芯片214的一侧面为止的宽度相同。即，波长转换部件120的一侧面可与第一发光芯片211的一侧面位于同一线上，波长转换部件120的另一侧面可与第四发光芯片214的一侧面位于同一线上。在此，第一发光芯片211的一侧面为与第二发光芯片211相向的侧面的相反面。并且，第四发光芯片214的另一侧面为与第三发光芯片213相向的侧面的相反面。即，第一发光芯片211的一侧面及第四发光芯片214的一侧面与阻隔部件140的内壁相向。此时，波长转换部件120可具有考虑彼此相邻的第一发光芯片211至第四发光芯片214的指向角的厚度。例如，波长转换部件120可具有使彼此相邻的发光芯片的至少一部分光能够在波长转换部件120内交叉的厚度。进而，波长转换部件120可具有使彼此相邻的发光芯片的一部分光能够在波长转换部件120的中心部交叉的厚度。反射部件130形成为围绕波长转换部件120的侧面，所述波长转换部件120的侧面形成为覆盖第一发光芯片211至第四发光芯片214的上表面。这样的第二实施例由于包括多个发光芯片，因此可形成发光面为长形结构的发光装置200。并且，借由围绕波长转换部件120的反射部件130，可防止在波长转换部件120的周边发生漏光。图7及图8是示出根据本发明的第三实施例的发光装置的示例图。图7是根据第三实施例的发光装置300的上部平面图。并且，图8是示出根据第三实施例的发光装置的剖视图。根据第三实施例的发光装置300包括第一发光芯片311、第二发光芯片312、第一波长转换部件321、第二波长转换部件322、反射部件130、阻隔部件330及电路基板150。第一发光芯片311和第二发光芯片312相互沿横方向相隔而布置。阻隔部件330位于第一发光芯片311和第二发光芯片312之间。并且，第一发光芯片311上表面布置有第一波长转换部件321，第二发光芯片312的上部布置有第二波长转换部件322。第一波长转换部件321及第二波长转换部件322可以为在诸如硅树脂或环氧树脂之类的透明树脂、玻璃、陶瓷等中混合有转换光的波长的波长转换物质的部件。通过第一波长转换部件321的光和通过第二波长转换部件322的光可以为彼此不同的颜色。虽然第一发光芯片311和第二发光芯片312释放相同波长的光，然而第一波长转换部件321和第二波长转换部件322可包括将光转换为彼此不同的波长的彼此不同的波长转换物质。或者，第一发光芯片311和第二发光芯片312释放彼此不同的波长的光，第一波长转换部件321和第二波长转换部件322也可包括彼此不同的波长转换物质。例如，借由第一发光芯片311及第一波长转换部件321释放的光可以为白光，并且借由第二发光芯片312及第二波长转换部件322而释放的光可以为黄光。在此，白光可使用于确保车辆驾驶者的视野的照明灯，黄光可使用于用于告知危险或危急状况的警告灯。为了提高光的反射率，第一波长转换部件321及第二波长转换部件322还可包括如第一实施例的反射物质未图示。反射部件130形成为分别围绕第一波长转换部件321和第二波长转换部件322的侧面。通过第一波长转换部件321的侧面的光借由反射部件130而反射。并且，通过第二波长转换部件322的侧面的光借由反射部件130而反射。因此，可防止分别在第一波长转换部件321的边缘和第二波长转换部件322的边缘发生漏光现象。图9是示出根据本发明的第三实施例的发光装置的亮度的曲线图。参考图9，可确认随着自发光装置300的中心部的距离而变化的光的亮度。参考图9的A2，可以确认光在第一波长转换部件321和阻隔部件330之间完全被阻断。并且，参考B2，可以确认光在第一波长转换部件321和第二波长转换部件322之间的阻隔部件330也并未释放。并且，参考C2，可以确认光在第二波长转换部件322和阻隔部件330之间完全被阻断。如此，根据本发明的实施例的发光装置300借由反射部件130可防止光通过阻隔部件330释放。因此，本发明的发光装置300可防止在第一波长转换部件321及第二波长转换部件322的边缘附近发生漏光现象。据此，本发明的发光装置300即使通过第一波长转换部件321和第二波长转换部件322同时释放光，也可防止彼此不同的两个颜色的光发生干涉。本实施例中阻隔部件330可区分为外壁部332和内壁部331。内壁部331为在阻隔部件330中形成于第一发光芯片311及第一波长转换部件321和第二发光芯片312及第二波长转换部件322之间的部分。外壁部332形成为围绕由第一发光芯片311及第一波长转换部件321、第二发光芯片312、第二波长转换部件322及内壁部331构成的外围。即，外壁部332形成为围绕发光装置300的内部构成的侧面。阻隔部件330形成为外壁部332的上表面的高度从内壁至外壁逐渐变低。即，阻隔部件330的外壁部332的上部的厚度朝下部方向越厚。并且，阻隔部件330的内壁部331形成为使上表面凸起。例如，参考图8，阻隔部件330的外壁部332中，形成于反射部件130上部的侧面的部分t1、形成于反射部件130的上部和下部之间的侧面的部分t2、形成于反射部件130下部的侧面的部分t3的厚度依次变厚。并且，阻隔部件330的内壁部332中内部的高度t4高于两侧的高度t5。考虑第一发光芯片311和第二发光芯片312之间的狭窄的空间的情况下涂覆用于形成阻隔部件330的材料，因此得出外壁部332和内壁部331的结构。若以相比于内壁部331而言形成于较宽的空间的外壁部332为基准将材料同时涂覆于将要形成阻隔部件330的空间，则在较窄的空间里材料有可能覆盖第一波长转换部件321及第二波长转换部件322的上表面。那么，发光装置300的发光区域将减少。因此，本实施例的发光装置300是以将形成内壁部331的空间为基准将材料涂覆于将要形成阻隔部件330的空间。因此，在第一发光芯片311和第二发光芯片312之间，材料涂覆为具有足够的高度，在除此之外的空间中，材料涂覆为具有低于第一波长转换部件321的上表面及第二波长转换部件322的上表面的高度。若涂覆材料之后硬化材料，则外壁部332的上表面成为沿反射部件130的侧面上升的结构，内壁部331成为上表面凸起的结构。即，外壁部332具有上部较薄的厚度，然而本发明的发光装置300具有反射部件130，因此即使外壁部332的上部的厚度较薄也不会发生漏光的现象。因此，本发明的发光装置300可同时解决发光区域减少的问题和漏光的问题。并且，内壁部331的凸起的上表面比第一发光芯片311和第二发光芯片312的上表面突出。即，内壁部331在第一发光芯片311和第二发光芯片312之间具有足够的高度。如此形成的内壁部331可防止从第一发光芯片311和第二发光芯片312释放的光相互交叉或影响彼此。根据本发明的实施例的发光装置300还可包括光提取部件340。光提取部件340可形成为覆盖第一发光芯片311和第二发光芯片312的侧面。并且，光提取部件340可形成为使与阻隔部件330相向的外壁具有曲率。本实施例的发光装置300中，第一发光芯片311的两侧面和第一波长转换部件321的两侧面位于同一线上，并且第二发光芯片312的两侧面和第二波长转换部件322的两侧面位于同一线上。因此，形成于第一发光芯片311和第二发光芯片312的两侧面的光提取部件340形成为覆盖反射部件130的下表面。形成于第一发光芯片311的侧面的光提取部件340可反射从第一发光芯片311的侧面释放的光以使其入射至第一波长转换部件321。并且，形成于第二发光芯片312的侧面的光提取部件340可反射从第二发光芯片312的侧面释放的光以使其入射至第二波长转换部件322。本实施例中，光提取部件340形成为从第一发光芯片311及第二发光芯片312的上部至下部其厚度逐渐变薄，并且外壁由曲面构成。据此，内壁部331的侧面下部也由曲面构成。并且，内壁部331的下部的厚度t7比内壁部331中相邻于光提取部件340的上部的部分的厚度t6厚。例如，光提取部件340可由硅树脂形成。或者光提取部件340可以是在硅胶树脂中含有反射物质的部件。图10及图11是示出根据本发明的第四实施例的发光装置的示例图。图10是根据第四实施例的发光装置400的上部平面图。并且，图11是示出根据第四实施例的发光装置的剖视图。根据第四实施例的发光装置400包括第一发光芯片311、第二发光芯片312、第一波长转换部件321、第二波长转换部件322、反射部件130、保护部件410、阻隔部件330及电路基板150。第一波长转换部件321布置于第一发光芯片311的上表面，第二波长转换部件322布置于第二发光芯片312的上表面。并且，在各个第一波长转换部件321和第二波长转换部件322其侧面的反射部件130。本实施例中还形成有围绕反射部件130的侧面的保护部件410。保护部件410防止反射部件130与由工序或外部环境而发生的硫化氢H2S或氧气等发生反应而导致腐蚀或变色。若反射部件130由于外部物质而发生变色或腐蚀，则光的反射率可能会减小。若光通过反射部件130受损伤的部分而透过反射部件130，则发光装置400可能发生漏光现象。因此，本实施例的400发光装置为了防止这种情况而包括保护反射部件130的保护部件410。例如，保护部件410由利用氮化硅膜SiNX及氧化硅膜SiO2、金Au形成的层中的至少一个层而构成。并且，阻隔部件330的接合面积借由保护部件410而增加，从而可提高发光装置400的内部构成部的粘合力。图12及图13是示出根据本发明的第五实施例的发光装置的示例图。图12是根据第五实施例的发光装置500的上部平面图。并且，图13是示出根据第五实施例的发光装置500的剖视图。根据第五实施例的发光装置500包括第一发光芯片311、第二发光芯片312、第一波长转换部件321、第二波长转换部件322、反射部件130、保护部件410、阻隔部件510及电路基板150。根据本实施例，阻隔部件510区分为内壁部511及外壁部512。内壁部511为布置于第一发光芯片311及第一波长转换部件321与第二发光芯片312及第二波长转换部件322之间的阻隔部件510。并且，外壁部512为在阻隔部件510中除布置有内壁部511的部分以外的、形成为围绕第一发光芯片311及第一波长转换部件321和第二发光芯片312及第二波长转换部件322的侧面的部分。此时，第一波长转换部件321与第二波长转换部件322之间可形成有反射部件130及保护部件410。阻隔部件510为在由环氧树脂或硅树脂构成的树脂中混合有填料的部件。例如，填料可包括用于较高的折射率的二氧化钛TiO2、用于提高强度的玻璃纤维中的至少一个。阻隔部件510的强度可随填料的含量而变化。即，若增加混合于树脂的填料的含量，则可提高阻隔部件510的强度。阻隔部件510可将含有填料的树脂以滴涂Dispensing方式或丝网印刷方式形成。滴涂方式通过滴涂机Dispenser的较窄的排出口对狭窄的空间也可精密地涂覆材料，因此可精密地形成阻隔部件510。然而，滴涂方式需要使阻隔部件510的材料具有能够通过滴涂机的较窄的排出口排出的程度的较低的粘度。若树脂含有较多的填料，则由于粘度变高，从而通过滴涂方式较难形成较高强度的阻隔部件510。本实施例中，在第一发光芯片311和第二发光芯片312之间的狭窄的空间，将填料含量较低的材料以滴涂方式形成阻隔部件510的内壁部511。并且，在第一发光芯片311和第二发光芯片312的外围部分，将填料含量较高的材料以丝网印刷方式形成阻隔部件510的外壁部512。因此，阻隔部件510可形成为包括高强度的外壁部512和精密地填充于狭窄空间的内壁部511。借由如此形成的阻隔部件510，发光装置500以高强度形成，并且可防止发生漏光或发光错误。图10至图13中，虽然未图示光提取部件，然而光提取部件还可包括于图10至图13所述的实施例中。图14是示出根据本发明的第六实施例的发光装置的示例图。参考图14，根据第六实施例的发光装置600包括发光芯片110、波长转换部件120、反射部件130、光提出部件610、阻隔部件140及电路基板150。光提出部件610形成于发光芯片110的两侧面。并且，光提出部件610从上部至下部其厚度逐渐变薄，并且与阻隔部件140相向的外壁形成为曲面。本实施例的发光装置600的光提出部件610与图8的光提取部件图8的340其结构不同。图8的光提取部件图8的340是外壁朝阻隔部件140方向凸起，而图14的光提取部件610具有外壁凹陷的结构。然而，光提出部件610的结构并不局限于此，而是可根据反射光的方向、光提出部件61的形成工序及本领域技术人员的选择等而变更。光提出部件610反射从发光芯片110的侧面释放的光。此时，确定光提出部件610的按位置的厚度或外壁的曲率，以使光被光提出部件610反射之后入射至波长转换部件120。根据本实施例的发光装置600由于光提出部件610将从发光芯片110的侧面释放的光反射至波长转换部件120，因此提高了光提取效率。并且，发光装置600中光由于光提出部件610而无法通过位于发光芯片110的侧面的阻隔部件140，因此可防止在阻隔部件140的侧面发生漏光现象。图15是示出根据本发明的第七实施例的发光装置的示例图。参考图15，根据第七实施例的发光装置700包括多个发光芯片、波长转换部件120、反射部件130、光提出部件610、阻隔部件140及电路基板150。例如，多个发光芯片为第一发光芯片211及第二发光芯片212。这样的示例是为了便于说明的，因此发光装置700可包括更多数量的发光芯片。光提出部件610形成于第一发光芯片211及第二发光芯片212各自的两侧面。并且，光提出部件610从上部至下部其厚度逐渐变薄，且与阻隔部件140相向的外壁形成为曲面。之前实施例中，光提取部件既形成于发光芯片的两侧，且形成为覆盖反射部件130的整个下表面。然而，本实施例的发光装置700中光提出部件610所形成的位置与之前的实施例不同。参考图15，波长转换部件120的两侧面形成为相比于第一发光芯片211和第二发光芯片212的侧面更朝外侧突出。光提出部件610并未覆盖反射部件130的下表面，并且形成为覆盖波长转换部件610中相比于第一发光芯片211和第二发光芯片212的侧面向外侧突出的部分的下表面。此情况下，被光提出部件610反射的一部分光可通过第一发光芯片211或第二发光芯片212朝波长转换部件120行进，其他的光通过光提取部件310内部可直接朝波长转换部件120行进。如此，光提出部件610形成的位置、厚度、曲率等可根据本领域技术人员的选择而多样地变更。第一发光芯片211和第二发光芯片212可布置为至少一部分的光在波长转换部件120的内部交叉。并且，光提出部件610将从第一发光芯片211及第二发光芯片212的侧面释放的光朝波长转换部件120反射。此时，根据光提出部件610的曲率，从第一发光芯片211和第二发光芯片212的侧面分别释放而反射的光的一部分也可在波长转换部件120内部相互交叉。如此，波长转换部件120的厚度可以大于第一发光芯片211和第二发光芯片212之间的间距，以使从第一发光芯片211和第二发光芯片212释放的光在波长转换部件120的内部交叉。例如，第一发光芯片211和第二发光芯片212的间距t1可以为190μm以下。并且，波长转换部件120的厚度t2可以为200μm以下。如本发明的实施例，若第一发光芯片211和第二发光芯片212的至少一部分光在波长转换部件120交叉，则相比于并未交叉时，提高了通过波长转换部件120的上表面释放的光的均匀度。即，本实施例的发光装置700具有较高的光均匀度。通过多个实施例说明了本发明的发光装置的构成及应用于车辆用灯具时的效果。然而，本发明的发光装置的效果并不仅仅局限于应用于车辆用灯具的情形。本发明的发光装置不仅可应用于车辆用灯具，而且也可应用于显示装置。若显示装置的背光单元中在发光装置的侧面发生漏光现象，则可能够发生显示装置的外围边缘相比于中央部看起来更亮的现象。并且，可能发生显示画面整体上出现斑点的现象。并且，明暗对比度将降低，且视野角可能变窄。并且，发生显示装置的颜色偏差，从而可降低画质。然而，本发明的发光装置可借由反射部件来防止在放光装置的侧面发生漏光的情形。因此，若本发明的发光装置应用于显示装置，则可防止发生显示装置的外围边缘看起来更亮的现象、斑点现象、敏感对比度降低、视野角减少、颜色偏差等。图16及图17是示出根据本发明的第八实施例的发光装置的示例图。图16是根据本发明的第八实施例的发光装置800的平面图。并且，图17是图16的发光装置800的剖视图I1-I2。根据第八实施例的发光装置800包括基板、多个发光芯片110、波长转换部件120、反射部件130及阻隔部件330。基板可以为形成有电路图案的电路基板150。电路基板150包括绝缘层153及形成于绝缘层153的导电性的电路图案。电路图案包括第一电路图案151、第二电路图案152及过孔154。第一电路图案151形成于绝缘层153的上表面。第二电路图案152形成于绝缘层153的下表面。并且，过孔154形成为贯通绝缘层153以使第一电路图案151和第二电路图案152电连接。电路图案与贴装于电路基板150的多个发光芯片110电连接。本发明中将贴装有发光芯片110的基板作为电路基板150而进行说明，然而本发明并不局限于此。若基板与贴装的发光芯片110电连接能够提供电源以使发光芯片110能够执行释放光的操作，则可以为任何种类的基板。多个发光芯片110分别与电路基板150的电路图案电连接。例如，多个发光芯片110可以以倒装芯片键合Flip-chipbonding方式贴装于电路基板150上。分别与电路图案连接的多个发光芯片110可根据外部的信号而各自操作。即，各个发光芯片110可单独地进行释放光的操作，或进行中断释放光的操作。然而，本实施例并不局限于此。本实施例的发光装置800可包括多个反光芯片阵列。此时，发光芯片阵列的多个发光芯片通过电路图案串联或并联连接而能够同时操作。参考图17，各个发光芯片110上部布置有波长转换部件120。并且，反射部件130如图16所图示，覆盖各个波长转换部件120的侧面。阻隔部件330形成于电路基板150上，以覆盖发光芯片110及反射部件130的侧面。即，阻隔部件330将释放光的波长转换部件120的上表面和反射部件130的上表面暴露于外部。并且，阻隔部件330可由硅树脂形成。并且，阻隔部件330可由含有反射物质、玻璃纤维等的填料的硅树脂形成。此时，阻隔部件330如图12及图13的第五实施例，内壁部的填料含量可低于外壁部。在此，阻隔部件330中外壁部是位于发光芯片110和基板115的侧面之间的部分，内壁部是位于发光芯片110之间的部分。最近呈现如下趋势：发光芯片110变得小型化，且显示装置被要求高画质。为了实现高画质，增加显示装置的像素的数量，从而可提高清晰度。为此，显示装置增加布置于同一区域中的发光芯片110的数量，据此，发光芯片110之间的相隔间距变小。并且，显示装置中像素之间的明暗越清晰，清晰度越得到提高，从而可实现高画质。然而，在使用发生漏光的发光芯片110的情况下，像素之间发生光干涉现象，从而使像素之间的明暗对比降低。因此，由于发光芯片110的漏光，显示装置的清晰度将降低，最终显示装置的画质将降低。对于本实施例的发光装置800而言，具有释放光至外部的释放面的波长转换部件120其每一个都具有覆盖其侧面的反射部件130，从而防止光从除波长转换部件120的释放面以外的其他部分释放。因此，发光装置800借由反射部件130仅朝相关发光芯片110的上部方向释放光，从而防止对布置有相邻的发光芯片110的区域造成影响。据此，发光装置800防止发生像素之间的光干涉现象，从而可提高显示装置的清晰度。图18是示出根据本发明的第九实施例的发光装置的示例图。根据第九实施例的发光装置900包括电路基板150、发光芯片110、波长转换部件120、反射部件930及阻隔部件330。本实施例中，反射部件930覆盖波长转换部件120及发光芯片110的侧面。此时，若反射部件930包括金属，则形成为覆盖发光芯片110的侧面并且避免与电极垫115接触。发光芯片110的电极垫115中一个与n型半导体层电连接，另一个与p型半导体层电连接。并且，电极垫115为暴露于发光芯片110的外部以与电路基板150的电路图案电连接的构成。本实施例的发光装置900形成为反射部件930覆盖发光芯片110的全部侧面，并且避免与电极垫115接触。如此形成的反射部件930反射通过波长转换部件120的侧面和发光芯片110的侧面而释放的光，从而防止光从阻隔部件330的侧面释放。因此，即使形成于波长转换部件120和发光芯片110的侧面的阻隔部件330的厚度较薄，也可防止发光装置900的漏光。即，本实施例的发光装置900可减少形成于波长转换部件120和发光芯片110的侧面的阻隔部件330的厚度。图19至图21是示出根据本发明的第十实施例及第十一实施例的发光装置的示例图。图19是根据本发明的第十实施例的发光装置的平面图。图20是示出根据本发明的第十实施例的发光装置的剖视图。并且，图21是示出根据本发明的第十一实施例的发光装置的剖视图。根据第十实施例及第十一实施例的发光装置1000、1100包括电路基板150、发光芯片110、波长转换部件120、反射部件930及阻隔部件330、1110。本实施例的发光装置1000、1100中，在形成有导电性的电路图案的电路基板150上贴装有多个发光芯片110。并且，多个发光芯片110分别与电路基板150的电路图案电连接。分别与电路图案连接的多个发光芯片110可根据外部的信号而单独操作。并且，多个发光芯片110可构成同时操作的阵列，发光装置1000、1100可包括贴装于电路基板150上的多个阵列。本实施例中多个发光芯片110分别在上部形成有波长转换部件120。并且，反射部件930形成为围绕发光芯片110的侧面及波长转换部件120的侧面。针对形成于各个发光芯片110的波长转换部件120及反射部件930的说明请参考图18。参考图20，根据第十实施例的发光装置1000中，形成于多个发光芯片110中位于两末端的发光芯片110的外侧侧面的阻隔部件330具有其上部的厚度朝下部方向逐渐变厚的结构。即，位于发光芯片110和电路基板150的侧面之间的阻隔部件330的上部部分的厚度从上表面朝下部方向逐渐变厚。并且，发光芯片110之间的阻隔部件330具有上表面凸起的结构。第十实施例的发光装置1000以滴涂Dispensing方式形成阻隔部件330。此时，在成为阻隔部件330的物质被过量地释放的情况下，阻隔部件330覆盖波长转换部件120的释放光的释放面的一部分，从而可能使光释放区域减少。因此，在形成阻隔部件330时通过考虑这种情况而将成为阻隔部件330的物质排出到电路基板150上。因此，形成于位于两末端的发光芯片110的外侧侧面的阻隔部件330具有低于波长转换部件120的上表面的高度。此时，借由表面张力，成为阻隔部件330的物质沿反射部件930的表面移动，最终，形成于位于电路基板150的两末端的发光芯片110的外侧侧面的阻隔部件330将具有一部分的厚度从下部朝上部逐渐变薄的结构。并且，发光芯片110之间的区域相比于电路基板150的一侧与位于两末端的发光芯片110的侧面之间的区域较窄。因此，成为阻隔部件330的物质在每个区域排出预定量，则在发光芯片110之间的区域可涂覆定量的物质。此时，借由硬化工序，成为阻隔部件330的物质可变成上表面凸起的结构。参考图21，根据第十一实施例的发光装置1100可以是阻隔部件1110的上表面为平坦的结构。例如，阻隔部件1110可以以丝网印刷Screenprinting方式形成。阻隔部件1110利用将要形成阻隔部件1110的位置被开口的掩膜，从而可将定量的将要成为阻隔部件1110的物质涂覆于各个区域。丝网印刷的方式是按照各个区域涂覆定量的物质，因此阻隔部件1110可具有上表面平坦的结构。并且，阻隔部件1110可以以滴涂方式形成。此时，成为阻隔部件1110的物质可过量地排出至各个区域。此后，对覆盖波长转换部件120的上表面及反射部件930的上表面的阻隔部件1110利用多种方式研磨去除，从而可平坦化阻隔部件1110的上表面。上表面平坦的阻隔部件1110并不局限地应用于本发明的实施例。即，其他实施例的发光装置也可应用上表面平坦的阻隔部件1110。图22至25是示出根据第十二实施例至第十五实施例的发光装置的示例图。根据第十二实施例至第十五实施例的发光装置1200、1300、1400、1500包括电路基板150、发光芯片110、波长转换部件120、第一反射部件1210、第二反射部件1220及阻隔部件1110。在此，第一反射部件1210相当于与之前说明的其他实施例的反射部件。参考图22及图24，发光装置1200、1400为第一反射部件1210仅覆盖波长转换部件120的侧面的结构。然而，发光装置1200、1400的结构并不局限于此。第一反射部件1210如图18所示的反射部件130，可形成为将发光芯片110的侧面和波长转换部件120的侧面全都覆盖。并且，参考图22及图24，发光装置1200、1400是阻隔部件1110的上表面为平坦的结构。然而，并不是以图示的阻隔部件1110的结构限定发光装置1200、1400的结构。如图20所图示的阻隔部件330，阻隔部件1110可以是从上部至下部其厚度逐渐变厚的结构。第二反射部件1220覆盖阻隔部件1110上表面的至少一部分。朝向第一反射部件1210的光中一部分光并未在第一反射部件1210反射，而是透过第一反射部件1210和阻隔部件1110，从而可朝向阻隔部件1110的上表面。并且，如图22及图24所图示，在第一反射部件1210仅覆盖波长转换部件120的侧面的情况下，通过发光芯片110的侧面释放的光将透过阻隔部件1110，从而可朝向阻隔部件1110的上表面。第二反射部件1220对将阻隔部件1110或第一反射部件1210和阻隔部件1110全部透过之后到达至第二反射部件1220的光进行反射。第二反射部件1220的材质可以与第一反射部件1210相同。或者，只要能够反射光，则第二反射部件1220的材质可以与第一反射部件1210的材质不同。参照图22，根据第十二实施例的发光装置1200中，第二反射部件1220覆盖第一反射部件1210的上表面及阻隔部件1110的上表面的一部分。因此，发光装置1200中，在第一反射部件1210和第二反射部件1220之间不暴露阻隔部件1110。或者，第二反射部件1220也可形成为不覆盖第一反射部件1210的上表面，并且围绕第一反射部件1210的上表面的边缘。此时，第二反射部件1220可以与第一反射部件1210的上表面的边缘接触。因此，阻隔部件1110可以并不暴露于第一反射部件1210和第二反射部件1220之间。根据第十二实施例的发光装置1200由于在第一反射部件1210和第二反射部件1220之间并不暴露阻隔部件1110，因而可防止光从第一反射部件1210和第二反射部件1220之间释放。图23是图示电路基板150上贴装有多个发光芯片110的根据第十三实施例的发光装置1300的平面的图。根据第十三实施例的发光装置1300中，分别形成于多个发光芯片110的波长转换部件120、第一反射部件1210及第二反射部件1220与第十二实施例的发光装置1200相同。参考图24，根据第十四实施例的发光装置1400中，第二反射部件1220覆盖阻隔部件1110的整个上表面。此时，第二反射部件1220如图24所图示，可形成为覆盖第一反射部件1210的上表面。或者，第二反射部件1220可形成为并不覆盖第一反射部件1210的上表面，而是围绕第一反射部件1210的上表面的边缘。图25是图示电路基板150上贴装有多个发光芯片110的根据第十五实施例的发光装置1500的平面的图。根据第十五实施例的发光装置1500，分别形成于多个发光芯片110的波长转换部件120、第一反射部件1210及第二反射部件1220与第十四实施例的发光装置1400相同。本实施例的发光装置1200、1300、1400、1500由第一反射部件1210和第二反射部件1220双重阻挡光通过阻隔部件1110释放至外部。因此，发光装置1200、1300、1400、1500可更加可靠地防止漏光现象。并且，本实施例的发光装置1200、1300、1400、1500借由第二反射部件1220，即使减小了第一反射部件1210的厚度也可有效地防止光通过阻隔部件1110的上表面而释放。或者，本实施例的发光装置1200、1300、1400、1500借由第一反射部件1210，即使减小了第二反射部件1220的厚度也可有效地防止光通过阻隔部件1110的上表面而释放。因此，本实施例的发光装置1200、1300、1400、1500相比于仅包括一个反射部件的情形可减小宽度或厚度。如上针对本发明的详细说明借由参考附图的实施例而进行，然而上述的实施例仅举出本发明的优选的示例而进行了说明，本发明不能被理解为仅局限于实施例，本发明的权利范围应当以权利要求书记载的范围及其等价概念来理解。权利要求书按照条约第19条的修改1.一种发光装置，其中，包括：基板；多个第一发光芯片，贴装于所述基板上；第一波长转换部件，覆盖所述第一发光芯片的上表面；第一反射部件，覆盖所述第一波长转换部件的侧面；及阻隔部件，包括围绕所述第一发光芯片及所述第一反射部件的侧面的外壁部，其中，位于所述第一发光芯片和所述基板的侧面之间的所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚，位于所述第一发光芯片之间的所述阻隔部件的内壁部的上部是凸起的。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的上表面是平坦的。4.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述外壁部的填料含量比所述内壁部的填料含量更高。5.如权利要求1所述的发光装置，其中，每个所述第一发光芯片形成有所述第一波长转换部件及所述第一反射部件。6.如权利要求5所述的发光装置，其中，所述第一反射部件与相邻的第一反射部件彼此相隔。7.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件覆盖所述波长转换部件的侧面及所述第一发光芯片的侧面。8.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件由银Ag和铝Al中的至少一个构成。9.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件的宽度大于所述第一发光芯片的宽度或与所述第一发光芯片的宽度相同。10.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。11.如权利要求10所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件还包括反射物质。12.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括覆盖所述阻隔部件的上表面的第二反射部件。13.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述第二反射部件配置为与所述第一反射部件的上表面接触。14.如权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述第一反射部件的上表面，或沿所述第一反射部件的上表面的边缘而形成，并覆盖所述阻隔部件的上表面的一部分。15.如权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述阻隔部件的整个上表面，或覆盖所述阻隔部件的整个上表面及所述第一反射部件的上表面。16.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述第二反射部件由银Ag和铝Al中至少一个构成。17.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板是包括绝缘层及电路图案的电路基板。18.如权利要求17所述的发光装置，其中，所述电路图案包括：第一电路图案，形成于所述绝缘层的上表面，并且与所述第一发光芯片电连接；第二电路图案，形成于所述绝缘层的下表面；及过孔，贯通所述绝缘层，以使所述第一电路图案和所述第二电路图案电连接。19.如权利要求18所述的发光装置，其中，所述第一电路图案的一端位于所述第一发光芯片的一侧面和所述阻隔部件的外壁之间的中心或所述中心和所述阻隔部件的外壁之间。20.如权利要求18所述的发光装置，其中，所述过孔是宽度从所述绝缘层的上表面及下表面至内部逐渐变窄的结构。21.如权利要求1所述的发光装置，其中，多个所述第一发光芯片从一方向至另一方向并排布置，所述第一波长转换部件的宽度与从位于一方向的第一发光芯片的一侧面至位于另一方向的第一发光芯片的一侧面为止的宽度相同，所述第一发光芯片的一侧面是与所述阻隔部件的内壁相向的侧面。22.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括与所述第一发光芯片沿横方向相隔的第二发光芯片，所述第二发光芯片布置为一侧面与所述第一发光芯片的一侧面相向。23.如权利要求22所述的发光装置，其中，还包括覆盖所述第二发光芯片的上表面的第二波长转换部件。24.如权利要求23所述的发光装置，其中，所述第二波长转换部件是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。25.如权利要求24所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件和所述第二波长转换部件包括彼此不同的波长转换物质，以转换光为彼此不同的波长。26.如权利要求22所述的发光装置，其中，所述阻隔部件还包括位于第一发光芯片和所述第二发光芯片之间的内壁部。27.如权利要求26所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述内壁部的上表面是凸起的。28.如权利要求27所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述外壁部的填料的含量比所述内壁部的填料含量更高。29.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括布置于所述第一反射部件和所述阻隔部件之间而保护所述第一反射部件的保护部件。30.如权利要求29所述的发光装置，其中，所述保护部件包括利用氮化硅膜SiNX、氧化硅SiO2及金Au形成的层中的至少一个层。31.如权利要求23所述的发光装置，其中，所述第二波长转换部件还包括反射物质。说明或声明按照条约第19条的修改1、将原权利要求1中的“第一发光芯片，贴装于所述基板上”修改为“多个第一发光芯片，贴装于所述基板上”，并将原权利要求5合并至原权利要求1中。2、将原权利要求4删除。3、将原权利要求20中的“第一绝缘图案”修改为“第一电路图案”，“第二绝缘图案”修改为“第二电路图案”。4、原权利要求6～33整理为新的权利要求4～31，对引用权利要求进行相应修改。

权利要求：1.一种发光装置，其中，包括：基板；第一发光芯片，贴装于所述基板上；第一波长转换部件，覆盖所述第一发光芯片的上表面；第一反射部件，覆盖所述第一波长转换部件的侧面；及阻隔部件，包括围绕所述第一发光芯片及所述第一反射部件的侧面的外壁部。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的上表面是平坦的。4.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板上贴装有多个所述第一发光芯片。5.如权利要求4所述的发光装置，其中，位于所述第一发光芯片和所述基板的侧面之间的所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚，位于所述第一发光芯片之间的所述阻隔部件的内壁部的上部是凸起的。6.如权利要求5所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述外壁部的填料含量比所述内壁部的填料含量更高。7.如权利要求4所述的发光装置，其中，每个所述第一发光芯片形成有所述第一波长转换部件及所述第一反射部件。8.如权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一反射部件与相邻的第一反射部件彼此相隔。9.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件覆盖所述波长转换部件的侧面及所述第一发光芯片的侧面。10.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件由银Ag和铝Al中的至少一个构成。11.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件的宽度大于所述第一发光芯片的宽度或与所述第一发光芯片的宽度相同。12.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。13.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件还包括反射物质。14.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括覆盖所述阻隔部件的上表面的第二反射部件。15.如权利要求14所述的发光装置，其中，所述第二反射部件配置为与所述第一反射部件的上表面接触。16.如权利要求15所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述第一反射部件的上表面，或沿所述第一反射部件的上表面的边缘而形成，并覆盖所述阻隔部件的上表面的一部分。17.如权利要求15所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述阻隔部件的整个上表面，或覆盖所述阻隔部件的整个上表面及所述第一反射部件的上表面。18.如权利要求14所述的发光装置，其中，所述第二反射部件由银Ag和铝Al中至少一个构成。19.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板是包括绝缘层及电路图案的电路基板。20.如权利要求19所述的发光装置，其中，所述电路图案包括：第一电路图案，形成于所述绝缘层的上表面，并且与所述第一发光芯片电连接；第二电路图案，形成于所述绝缘层的下表面；及过孔，贯通所述绝缘层，以使所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案电连接。21.如权利要求20所述的发光装置，其中，所述第一电路图案的一端位于所述第一发光芯片的一侧面和所述阻隔部件的外壁之间的中心或所述中心和所述阻隔部件的外壁之间。22.如权利要求20所述的发光装置，其中，所述过孔是宽度从所述绝缘层的上表面及下表面至内部逐渐变窄的结构。23.如权利要求4所述的发光装置，其中，多个所述第一发光芯片从一方向至另一方向并排布置，所述第一波长转换部件的宽度与从位于一方向的第一发光芯片的一侧面至位于另一方向的第一发光芯片的一侧面为止的宽度相同，所述第一发光芯片的一侧面是与所述阻隔部件的内壁相向的侧面。24.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括与所述第一发光芯片沿横方向相隔的第二发光芯片，所述第二发光芯片布置为一侧面与所述第一发光芯片的一侧面相向。25.如权利要求24所述的发光装置，其中，还包括覆盖所述第二发光芯片的上表面的第二波长转换部件。26.如权利要求25所述的发光装置，其中，所述第二波长转换部件是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。27.如权利要求26所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件和所述第二波长转换部件包括彼此不同的波长转换物质，以转换光为彼此不同的波长。28.如权利要求24所述的发光装置，其中，所述阻隔部件还包括位于第一发光芯片和所述第二发光芯片之间的内壁部。29.如权利要求28所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述内壁部的上表面是凸起的。30.如权利要求29所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述外壁部的填料的含量比所述内壁部的填料含量更高。31.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括布置于所述第一反射部件和所述阻隔部件之间而保护所述第一反射部件的保护部件。32.如权利要求31所述的发光装置，其中，所述保护部件包括利用氮化硅膜SiNX、氧化硅SiO2及金Au形成的层中的至少一个层。33.如权利要求25所述的发光装置，其中，所述第二波长转换部件还包括反射物质。

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