龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
摘要：本申请涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、GaNHEMT器件，通过提供外延片，外延片包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层，继而，在外延片上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层位于保护层背离势垒层的一侧，光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口；继而，将形成有光刻胶图形层的外延片浸入酸性溶液中，并在光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有光刻胶图形层的外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，酸性溶液的酸度系数大于10‑4，第二欧姆接触窗口与第一欧姆接触窗口连通并暴露出沟道导电层；最后，在第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，如此，使得欧姆接触电阻极低，刻蚀形成第二欧姆接触窗口的效率极高。
主权项：1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供外延片，包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层；在所述外延片上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口，所述光刻胶图形层位于所述保护层背离所述势垒层的一侧；将形成有所述光刻胶图形层的所述外延片浸入酸性溶液中，并在所述光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有所述光刻胶图形层的所述外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，所述酸性溶液为草酸溶液，所述酸性溶液至少对所述保护层和所述势垒层进行化学腐蚀，所述紫外激光为所述化学腐蚀过程提供额外的光子能量以加快腐蚀过程，从而使得所述第二欧姆接触窗口与所述第一欧姆接触窗口连通，并暴露出所述沟道导电层；在所述第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号