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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及铜电镀技术领域，公开一种铜互连电镀方法，属于铜电镀技术领域，包括以下步骤：（1）配制铜互连电镀液，所述铜互连电镀液包括硫酸铜、氯化铜、硫酸、添加剂和去离子水，其中，所述添加剂包括：加速剂、抑制剂、整平剂和助剂，所述助剂包括组分A，所述组分A为硫化聚合的蒽醌交联产物；（2）晶圆电镀，以待电镀的切割硅基晶圆为阴极，清洗后与磷铜阳极浸入所述铜互连电镀液中进行直流电镀；本发明采用具有界面离子浓度梯度均化作用的外加助剂作为芯片铜互连电镀添加剂，可实现无空洞和缺陷、均镀性佳、结构致密、表面光滑的效果。
主权项：1.一种铜互连电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）配制铜互连电镀液所述铜互连电镀液包括：硫酸铜、氯化铜、硫酸、添加剂和去离子水，其中，所述添加剂包括：加速剂、抑制剂、整平剂和助剂，所述助剂包括组分A，所述组分A的制备方法包括以下步骤：在常温下分别称取1,8-二氨基-2,4,5,7-四氯蒽醌和硫化钠并溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，在保护气氛下升温至180-200℃，保温搅拌反应过夜，反应完成后冷却至室温，分离沉淀，依次以热的丙酮和乙醇溶剂洗涤，真空干燥后制得；其中，所述1,8-二氨基-2,4,5,7-四氯蒽醌与所述硫化钠、所述N-甲基-2-吡咯烷酮、所述N,N-二甲基甲酰胺的质量比例为10：（7.0-8.3）：（60-72）：（6-12）；（2）晶圆电镀以待电镀的切割硅基晶圆为阴极，依次经过稀硫酸酸洗、去离子水水洗后与磷铜阳极浸入所述铜互连电镀液中进行直流电镀，电镀完成后用去离子水冲洗镀层，压缩空气吹干；所述硫酸铜的浓度在0.5-0.6molL，所述氯化铜的浓度在0.01-0.02gL，所述硫酸的浓度在0.4-0.6molL；所述加速剂的添加浓度在4-14gL，所述抑制剂的添加浓度在10-50gL，所述整平剂的添加浓度在5-25gL，所述组分A的添加浓度在1-10gL。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种铜互连电镀方法
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