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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；去除相邻鳍部之间的部分伪栅结构、侧墙以及层间介质层，形成第一凹槽，第一凹槽在伪栅结构的厚度方向未贯穿伪栅结构；在第一凹槽的侧壁形成阻挡层，并去除第一凹槽底部剩余的伪栅结构，第一凹槽转化为第二凹槽，且第二凹槽完全分割伪栅结构；在第二凹槽内形成绝缘层，绝缘层的顶面与伪栅结构的顶面平齐。本申请技术方案的形成方法能够完全分割伪栅结构，避免了后续工艺在子伪栅结构的对应位置形成金属栅后，去除单侧金属栅结构时连带损坏另一侧的金属栅结构，从而大幅度提升了半导体器件的性能和良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少两个凸起的鳍部和伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁，所述伪栅结构两侧形成有侧墙，所述侧墙两侧形成有层间介质层；去除相邻所述鳍部之间的部分伪栅结构、侧墙以及层间介质层，形成第一凹槽，所述第一凹槽在所述伪栅结构的厚度方向未贯穿所述伪栅结构；在所述第一凹槽的侧壁形成阻挡层，并去除所述第一凹槽底部剩余的伪栅结构，所述第一凹槽转化为第二凹槽，且所述第二凹槽完全分割所述伪栅结构；在所述第二凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层的顶面与所述伪栅结构的顶面平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构的形成方法
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