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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：本发明提供能够适当进行衬底接合后的分离的半导体装置的制造方法、及半导体装置。一实施方式的半导体装置的制造方法包含：在第1衬底积层第1膜，在第2衬底积层第2膜、第3膜、第4膜。半导体装置的制造方法包含：将第1膜的与第1衬底相反之侧的主面与第4膜的与第2衬底相反之侧的主面接合。半导体装置的制造方法包含：以使焦点位于第2膜附近的方式从第2衬底侧照射激光。半导体装置的制造方法包含：将第2衬底分离。第2膜及第4膜分别包括第1材料。第3膜包括第2材料。第2材料与第1材料不同。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，包含：准备设置有第1膜的第1衬底；在第2衬底形成第2膜；在所述第2膜形成第3膜；在所述第3膜形成第4膜；将所述第1膜的表面与所述第4膜的表面接合，形成积层体；从所述积层体的所述第2衬底侧照射激光；以及以至少包括所述第2膜的一部分的状态将所述第2衬底分离；且所述第2膜以及所述第4膜分别包括第1材料，所述第3膜包括与所述第1材料不同的第2材料，所述第2膜与所述第3膜是不同的组成，所述第4膜与所述第3膜是不同的组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体装置的制造方法、及半导体装置
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