申请/专利权人：上海安路信息科技股份有限公司

申请日：2021-10-12

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN113904676B

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要：本发明提供了一种输入缓冲电路，包括热插拔信号处理单元、电平转换单元、最大值获取单元、接收单元、信号迟滞单元和缓冲单元，热插拔信号处理单元使得输入缓冲电路的输入信号和第一热插拔信号发生关联，最大值获取单元将输入缓冲电路的输入信号和输入输出缓冲器电源电压中的最大值作为输入缓冲电路的供电电压，以将输入输出缓冲器电源电压引入到输入缓冲电路中，接收单元用于接收第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号、输入缓冲电路的供电电压，使得输入缓冲电路支持热插拔模式，并且能够在正常模式下将输入缓冲电路的供电电压与第二控制信号和第三控制信号发生关联，从而优化了缓冲单元输出的缓冲信号的占空比。

主权项：1.一种输入缓冲电路，其特征在于，包括：热插拔信号处理单元，用于接收所述输入缓冲电路的输入信号、第一热插拔信号、所述第一热插拔信号的反信号和第一偏置电压，以输出用于指示进入热插拔模式或正常模式的第一控制信号；电平转换单元，用于接收所述输入缓冲电路的输入信号、所述第一偏置电压和第二偏置电压，然后根据所述第一偏置电压和所述第二偏置电压对所述输入缓冲电路的输入信号进行电平转换，以输出第二控制信号，并输出所述第二偏置电压和所述输入缓冲电路的输入信号中的较小值作为第三控制信号；最大值获取单元，用于接收所述输入缓冲电路的输入信号和输入输出缓冲器电源电压，然后输出所述输入缓冲电路的输入信号和输入输出缓冲器电源电压中的最大值作为所述输入缓冲电路的供电电压；接收单元，用于接收所述第一控制信号、所述第二控制信号、所述第三控制信号、所述输入缓冲电路的供电电压、所述第一偏置电压和所述第二偏置电压，以使所述第二控制信号与所述第一控制信号、所述第三控制信号、输入缓冲电路的供电电压、所述第一偏置电压和所述第二偏置电压发生关联，以输出下级传输信号；信号迟滞单元，用于接收所述下级传输信号、第二热插拔信号以及辅助电源电压，然后根据所述第二热插拔信号和所述辅助电源电压去除所述下级传输信号中的噪声，以输出初级缓冲信号；以及缓冲单元，用于接收所述初级缓冲信号，然后将所述初级缓冲信号的电压域转变为内核电压，以输出缓冲信号；所述热插拔信号处理单元包括并联传输门单元、第一传输门、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管，所述并联传输门单元的输入端用于接收所述第一热插拔信号和所述第一偏置电压，所述并联传输门单元的控制端用于接收所述第一热插拔信号和所述第一热插拔信号的反信号，所述并联传输门单元的输出端与所述第一传输门的第一控制端和所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一传输门的第二控制端用于接收所述第一热插拔信号的反信号，所述第一传输门的输入端与所述第二PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的栅极均用于接收所述第一偏置电压，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的源极均用于接收所述输入缓冲电路的输入信号，所述第一NMOS管的漏极用于接收所述第一热插拔信号，所述第一NMOS管的源极和所述第一传输门的输出端连接共同输出所述第一控制信号；所述接收单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第三PMOS管的源极用于接收所述输入缓冲电路的供电电压，所述第三PMOS管的栅极用于接收所述第一控制信号，所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接，所述第四PMOS管的栅极用于接收所述第一偏置电压，所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管源极连接，所述第五PMOS管的栅极用于接收所述第二控制信号，所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的栅极用于接收所述第二偏置电压，所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极连接，用于共同输出所述初级缓冲信号，所述第五NMOS管的栅极用于接收所述第三控制信号，所述第五NMOS管的源极接地。

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权利要求：

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