申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2022-05-27

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN114878943B

主分类号：G01R31/00

分类号：G01R31/00;G01R15/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本申请提供一种D‑dot探头低频性能的评估与保证方法，包括：根据待测探头100和传输线的结构建立等效电路模型；将所述等效电路模型输入至电路仿真系统，在系统中调节所述水介质的阻抗值，获得对应的电路仿真数据；分析所述电路仿真数据中的所述高压臂电容C1、所述电路仿真数据中的低频下限数据、所述水介质的阻值Rw，确定所述待测探头100的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ间的关系。可通过待测信号对探头的低频下限的要求来计算传输线水介质电阻率的理想值，作为传输线水介质寿命的判断标准，便于及时更换传输线水介质以保持探头的低频性能，提高测量的稳定性及准确性。

主权项：1.一种D-dot探头100低频性能的评估与保证方法，D-dot探头100用于安装在传输线的传输线外筒201上,包括基座法兰104、探头外壳103、同轴射频连接器301、绝缘层102、信号电极101和内芯，所述传输线外筒201与传输线的传输线内筒202形成容纳水介质的传输线腔203，探头外壳103固定在基座法兰104上，探头外壳103与信号电极101间由绝缘层102填充，同轴射频连接器301固定在D-dot探头100顶部，内芯与信号电极101相连，其特征在于，包括：根据待测探头100和传输线的结构建立等效电路模型；所述等效电路模型包括：所述待测探头100的信号电极101与传输线内筒202构成的高压臂电容C1、所述信号电极101与所述待测探头100外壳构成的低压臂电容C2、所述信号电极101的电感L、所述信号电极101与传输线内筒202间水介质的阻值Rw；将所述等效电路模型输入至电路仿真系统，在所述电路仿真系统中调节所述水介质的阻抗值，获得对应的电路仿真数据；分析所述电路仿真数据中的所述高压臂电容C1、所述电路仿真数据中的低频下限数据、所述水介质的阻值Rw，确定所述待测探头100的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ间的关系，包括：调节所述电路仿真系统中的水介质的阻值Rw，计算对应的高压臂电容C1的的容抗与所述水介质阻值Rw的比值；所述确定所述待测探头100的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ间的关系，包括：将高压臂电容C1的的容抗与所述水介质阻值Rw的比值取定值为2；所述待测探头100的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ满足以下关系式： 其中，I为所述信号电极101下端面至传输线内筒202的距离；S为所述信号电极101下端端面与所述传输线内筒202之间形成的等效水柱204的横截面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种D-dot探头低频性能的评估与保证方法

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