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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文公开了用于分析半导体晶片上的结构元件的截面特征以确定是否发生无法达到选定参数的孤立故障或系统故障的方法和系统。
主权项：1.一种用于分析半导体晶片上的结构元件的特征的方法，所述方法包括以下步骤：使用计量工具在线测量所述结构元件，其中所述测量步骤包括以下步骤：以第一倾斜角扫描所述结构元件并产生第一检查图像；及以第二倾斜角扫描所述结构元件并产生第二检查图像；比较所述第一检查图像和所述第二检查图像以形成比较表示；及从所述比较表示来计算所述结构元件的所述特征，其中计算步骤包括以下步骤：从所述第一检查图像产生第一波形图并且从所述第二检查图像产生第二波形图，所述第一波形图和所述第二波形图各自是作为像素的函数的灰阶，其中所述结构元件在所述第一波形图和所述第二波形图的每一者中具有两个最大值和两个最小值，从所述第二检查图像中识别出的第二临界尺寸减去所述第一检查图像中识别出的第一临界尺寸，以得出临界尺寸之差，其中所述第一临界尺寸是所述结构元件在所述第一波形图中的第二最小值的像素值，并且所述第二临界尺寸是所述结构元件在所述第二波形图中的第二最小值的像素值；及基于所述临界尺寸之差、所述第一倾斜角和所述第二倾斜角来确定所述结构元件的所述特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 增强的截面特征测量方法
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