申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-09-17

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN113885294B

主分类号：G03F1/32

分类号：G03F1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种灰阶掩模版结构。灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部；半透光部位于遮光部和透光部之间，且半透光部围绕透光部的边缘设置；半透光部位的透光率，从半透光部靠近透光部的一侧至半透光部靠近遮光部的一侧逐渐递减；透光部的边缘形成边缘转角，半透光部包括与边缘转角相对应的半透光转角区，半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连；半透光转角区中设有多层透光率调整结构，多层透光率调整结构由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层间隔排布；各层透光率调整结构的透光率，由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层递减。

主权项：1.一种灰阶掩模版结构，其特征在于，所述灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部；所述半透光部位于所述遮光部和透光部之间，且所述半透光部围绕所述透光部的边缘设置；所述半透光部位的透光率，从所述半透光部靠近所述透光部的一侧至所述半透光部靠近所述遮光部的一侧逐渐递减；所述透光部包括沿第一方向X延伸的第一边缘和沿第二方向Y延伸的第二边缘，所述第一边缘和所述第二边缘相交形成边缘转角，所述半透光部包括与所述边缘转角相对应的半透光转角区，所述半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连；所述半透光转角区中设有多层透光率调整结构，多层所述透光率调整结构由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层间隔排布；所述半透光转角区中，从透光部的边缘转角位置处，至靠近遮光部的一侧依次设有相间隔的第一层透光率调整结构和其他各层透光率调整结构；各层所述透光率调整结构的透光率，由靠近所述透光部的一侧至靠近所述遮光部的一侧逐层递减；所述半透光转角区包括顶角位置和两条侧边位置，两条所述侧边位置相交形成所述顶角位置；用于形成所述边缘转角的两条边缘，其在各自延伸方向上的延长线为所述半透光转角区的两条侧边位置；所述透光部的边缘转角为所述半透光转角区的顶角位置；所述半透光转角区中的各层透光率调整结构，均跨接在两条所述侧边位置之间；除所述第一层透光率调整结构以外的其他各层透光率调整结构的形状，均与所述半透光转角区对应的边缘转角的形状一致；所述第一层透光率调整结构，其远离顶角位置的外缘形状与透光区边缘转角的形状一致，靠近所述顶角位置的内缘形状与该顶角位置的形状一致。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 灰阶掩模版结构

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