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具有一阶和二阶温度诱导频率漂移补偿的超高频MEMS谐振器 

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申请/专利权人:斯塔西拉知识产权控股公司

摘要:提供了一种MEMS谐振器,其包括支撑结构、具有特定本征模的分布式横截面谐振器元件、将该分布式横截面谐振器元件耦合到该支撑结构的至少一个锚定件、用于致动该特定本征模的至少一个驱动电极、以及用于感测该特定本征模的至少一个感测电极。该特定本征模由模传播序列诸如多个Lamé模来定义。该MEMS谐振器可以均匀地掺杂N型或P型掺杂剂之一,以使得该分布式横截面谐振器元件的频率的二阶温度系数约为零。另外,通过修改分布式横截面谐振器元件的伸长率或修改该分布式横截面谐振器元件的材料成分,可以将频率的一阶温度系数降至约零。

主权项:1.一种MEMS谐振器,包括:支撑结构;具有特定本征模的分布式横截面谐振器元件,其中所述特定本征模由模传播序列定义,其中所述模传播序列中的每个相应模与多个子元件中的相应子元件相关联,其中所述多个子元件的组合构成所述分布式横截面谐振器元件的横截面;将所述分布式横截面谐振器元件耦合至所述支撑结构的至少一个锚定件;用于致动所述特定本征模的至少一个驱动电极;以及用于感测所述特定本征模的至少一个感测电极。

全文数据:

权利要求:

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