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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请实施例提供一种曝光补偿量确定方法，包括：提供衬底，衬底中形成有第一结构和第一掩膜层；执行第一光刻工艺，在第一掩膜层上形成第一光阻图案，获取第一光阻图案与第一结构之间的第一对准偏移量；将第一光阻图案转移到第一掩膜层中形成第一图案；在第一掩膜层上形成第二掩膜层，执行第二光刻工艺，在第二掩膜层上形成第二光阻图案，并获取第二光阻图案与第一图案之间的第二对准偏移量；将第二光阻图案转移到第一掩膜层中形成第二图案，基于第一图案和第二图案形成目标图案；获取目标图案与第一结构之间的第三对准偏移量，并基于各对准偏移量，确定第一光刻工艺的曝光补偿量。提高了曝光补偿量的准确度，提高半导体产品的良率。
主权项：1.一种曝光补偿量确定方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有第一结构和位于所述第一结构上的第一掩膜层；执行第一光刻工艺，在所述第一掩膜层上形成第一光阻图案，获取所述第一光阻图案与所述第一结构之间的第一对准偏移量；将所述第一光阻图案转移到所述第一掩膜层中，在所述第一掩膜层中形成第一图案，去除所述第一光阻图案；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，执行第二光刻工艺，在所述第二掩膜层上形成第二光阻图案，并获取所述第二光阻图案与所述第一图案之间的第二对准偏移量；将所述第二光阻图案转移到所述第一掩膜层和所述第二掩膜层中，在所述第一掩膜层中形成第二图案，基于所述第一图案和所述第二图案形成目标图案；获取所述目标图案与所述第一结构之间的第三对准偏移量，并基于所述第一对准偏移量、所述第二对准偏移量以及所述第三对准偏移量，确定所述第一光刻工艺的曝光补偿量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 一种曝光补偿量确定方法
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