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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种电荷泵电路，包含有耗尽型高压MOS管以及增强型高压MOS管，通过耗尽型管保证节点电位，使增强型管充分开启，同时，耗尽型管并不给负载供电，使得节点电位的电压较为稳定，耗尽型管使用栅长比小但沟道长度更大的MOS管，有效防止倒灌电流的问题。
主权项：1.一种电荷泵电路，其特征在于：由多个MOS管以及多个电容组成，其连接结构为，第一～第四MOS管的源端并接在一起形成所述电荷泵电路的输入端VIN，所述第一MOS管的栅端连接第三MOS管的漏端，所述第二MOS管的栅端连接第四MOS管的漏端，所述第三MOS管的栅端连接第一MOS管的漏端，所述第四MOS管的栅端连接第二MOS管的漏端；第五及第六MOS管各自源、漏端短接之后分别与第一MOS管、第二MOS管的漏端连接，第五MOS管的栅端与第六MOS管的栅端短接；第一电容的一端连接第五MOS管短接的源、漏端，第一电容的另一端接地；第二电容的一端连接第六MOS管短接的源、漏端，第二电容的另一端接地；第七及第八MOS管各自源、漏端短接之后分别与第三MOS管、第四MOS管的漏端连接，第七MOS管的栅端与第八MOS管的栅端短接；第三电容的一端连接第七MOS管短接的源、漏端，第三电容的另一端接地；第四电容的一端连接第八MOS管短接的源、漏端，第四电容的另一端接地；第九MOS管的栅端与第三MOS管的漏端以及第十MOS管的漏端、第十一MOS管的源端连接，第十MOS管的栅端与第二MOS管的漏端以及第九MOS管的漏端、第十二MOS管的源端连接，第九MOS管的源端与第十MOS管的源端接，且串接节点与第十一MOS管、第十二MOS管的衬底电极连接；所述第十一MOS管的漏端与第十二MOS管的漏端短接之后形成所述电荷泵电路的输出端VOUT；差分时钟信号分别通过第一输入模块及第二输入模块后再分别输入到第五MOS管与第六MOS管短接的栅端，以及第七MOS管与第八MOS管短接的栅端；所述的第一MOS管与第四MOS管为耗尽型高压MOS管，其他MOS管为增强型高压MOS管；所述的第一及第四MOS管的栅极宽长比小于第二、第三MOS管的宽长比。
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权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电荷泵电路
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