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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231234A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/285
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种改善金属硅化物缺陷的方法，包括：提供硅衬底，硅衬底上形成有栅硅层以及覆盖栅硅层的SAB层，SAB层中形成有显露栅硅层顶面以及预设位置硅衬底表面的开口；形成覆盖SAB层的镍金属层，且镍金属层延伸入开口中，一部分镍金属层与栅硅层的顶面接触，一部分镍金属层与预设位置的硅衬底接触；进行第一次退火，镍金属层与栅硅层接触的区域形成镍硅化合物，镍金属层与硅衬底接触的区域形成镍硅化合物；形成覆盖镍硅化合物的硅层，并进行第二次退火。本发明中进行第一次退火后，于Ni2Si化合物上形成硅层，在第二次退火的过程中部分Ni向硅层扩散运动，可以减小Ni向沟道扩散的风险，改善金属硅化物刺穿缺陷，提高器件性能。
主权项：1.一种改善金属硅化物缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅硅层以及覆盖所述栅硅层的SAB层，所述SAB层中形成有显露所述栅硅层顶面以及预设位置所述硅衬底表面的开口；形成覆盖所述SAB层的镍金属层，且所述镍金属层延伸入所述开口中，一部分所述镍金属层与所述栅硅层的顶面接触，一部分所述镍金属层与预设位置的所述硅衬底接触；将形成所述镍金属层的结构进行第一次退火，所述镍金属层与所述栅硅层接触的区域形成镍硅化合物，所述镍金属层与所述硅衬底接触的区域形成镍硅化合物；形成覆盖所述镍硅化合物的硅层，并将形成所述硅层的结构进行第二次退火，其中，所述第二次退火的退火温度大于所述第一次退火的退火温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种改善金属硅化物缺陷的方法
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