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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231211A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种斜面蚀刻方法及其设备，下电极主体与第一边缘电极、第二边缘电极形成射频回路，用于将反应气体在邻近晶圆边缘的空间内解离形成等离子体，来对晶圆的边缘区域进行斜面蚀刻；上电极主体的底面与晶圆的顶面之间设置有第一间隔距离；斜面蚀刻设备的控制器，用于根据第一间隔距离来控制第二射频信号施加到上电极主体的电压，从而在晶圆的中心区域上方形成等离子体隔离区。本发明通过控制上电极主体的电压，可以更灵活、更方便地对等离子体间隔层进行控制，有效减少或避免部件的机械移动，获得更均匀的斜面蚀刻效果。
主权项：1.一种斜面蚀刻设备，其特征在于，包含：下电极组件，具有用于承载晶圆的承载面；所述下电极组件包含与第一射频信号耦接的下电极主体，和接地的第一边缘电极；所述第一边缘电极围绕着下电极主体，并与所述下电极主体电性隔离；上电极组件，其与下电极组件相对设置；所述上电极组件包含与第二射频信号耦接的上电极主体，和接地的第二边缘电极；所述第二边缘电极围绕着上电极主体，并与所述上电极主体电性隔离；所述下电极主体与第一边缘电极、第二边缘电极形成射频回路，用于将反应气体在邻近晶圆边缘的空间内解离形成等离子体，来对晶圆的边缘区域进行斜面蚀刻；所述上电极主体的底面与晶圆的顶面之间设置有第一间隔距离；斜面蚀刻设备的控制器，用于根据第一间隔距离来控制所述第二射频信号施加到上电极主体的电压，从而在晶圆的中心区域上方形成等离子体隔离区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种斜面蚀刻方法及其设备
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