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申请/专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231385A
主分类号：H01L23/552
分类号：H01L23/552
优先权：["20221219 US 18/084,431"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种用于半导体封装的电磁EM屏蔽结构嵌入在所述半导体封装的核心层的通孔中。所述EM屏蔽结构可包含通过铜电镀操作形成的多个通路。另外，金属路径环绕所述EM屏蔽结构且与介电材料一起防止不想要的EM辐射通过了所述通路从整个所述半导体封装中发出。所述EM屏蔽结构也可采用在所述核心层的通孔处粘合到所述核心层的插入件的形式。
主权项：1.一种半导体封装，其包括：核心层；通孔，其形成于所述核心层中；以及电磁EM屏蔽结构，其安置于所述通孔中，所述EM屏蔽结构包括：介电材料，第一通路，其安置于所述介电材料中，及第二通路，其安置于所述介电材料中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安华高科技股份有限公司 电磁屏蔽结构
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