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申请/专利权人：上海交通大学
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118216884A
主分类号：A61B5/00
分类号：A61B5/00;A61B5/05;A61N7/00;A61N7/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及神经调控领域,公开了一种用于经颅超声治疗中的实时接触监测装置及方法，该装置包括定位帽、外部磁体阵列、超声耦合器和超声控制系统。外部磁体阵列在两个不同方向上形成周期性变化的磁场信号。超声耦合器内集成了超声换能器、三轴压力传感器阵列和三轴霍尔效应传感器阵列。其中,压力传感器阵列用于检测超声耦合器与头皮之间的接触面压力分布,霍尔效应传感器阵列用于检测外部磁体阵列的磁场变化以判断超声耦合器的位置偏移。超声控制系统根据压力分布信息和位置偏移信息,控制超声换能器的工作状态。本申请有效解决了检测经颅超声刺激过程中因头动等外部扰动造成的超声耦合器偏离指定位置或与头皮分离的问题。
主权项：1.一种用于经颅超声治疗中的实时接触监测装置，所述装置用于检测超声耦合器与头皮接触情况，其特征在于,所述装置包括：定位帽、外部磁体阵列、超声耦合器和超声控制系统，其中：所述定位帽在超声干预靶点位置设有开孔，以容纳所述超声耦合器；所述外部磁体阵列配置为在至少一个方向上产生周期性变化的磁场，以支持位置监测与校准；所述超声耦合器包括：超声换能器、用于实时检测所述超声耦合器与头皮之间的接触面压力分布信息的三轴压力传感器阵列，以及用于检测所述外部磁体阵列产生的磁场信号变化以判断所述超声耦合器的位置偏移的三轴霍尔效应传感器阵列；所述超声控制系统用于根据所述三轴压力传感器阵列检测到的接触面压力分布信息和所述三轴霍尔效应传感器阵列检测到的位置偏移,控制所述超声换能器的工作状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 用于经颅超声治疗中的实时接触监测装置及方法
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