龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-05-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231340A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/3065;H01L23/48;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种用于LDMOS的接触结构及其制备方法，方法包括在平坦化后的晶圆上进行光刻工艺以定义出接触结构的形成位置；基于接触结构的形成位置依次进行第一刻蚀和第二刻蚀，形成带有硅沟槽的接触结构，其中所述硅沟槽为在硅衬底上经过第二刻蚀形成的接触沟槽；在接触结构的内部对氮化硅层进行第三刻蚀；根据对氮化硅层的第三刻蚀，在接触结构的内部对第一氧化层、硼磷硅玻璃层和第二氧化层进行第四刻蚀，以在第一氧化层和硅衬底之间形成硅台阶。本发明的方案能够增大金属与硅衬底之间的接触面积，进而有效降低使用该接触结构的LDMOS管的接触电阻，提高器件性能和效率。
主权项：1.用于LDMOS的接触结构的制备方法，其特征在于，包括：在平坦化后的晶圆上进行光刻工艺以定义出接触结构的形成位置，所述晶圆包括硅衬底、位于硅衬底之上的第一氧化层、位于第一氧化层之上的氮化硅层、位于氮化硅层之上的硼磷硅玻璃层和位于硼磷硅玻璃层之上的第二氧化层；基于接触结构的形成位置依次进行第一刻蚀和第二刻蚀，形成带有硅沟槽的接触结构，其中所述硅沟槽为在硅衬底上经过第二刻蚀形成的接触沟槽；在接触结构的内部对氮化硅层进行第三刻蚀；根据对氮化硅层的第三刻蚀，在接触结构的内部对第一氧化层、硼磷硅玻璃层和第二氧化层进行第四刻蚀，以在第一氧化层和硅衬底之间形成硅台阶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 用于LDMOS的接触结构及其制备方法及包括该接触结构的LDMOS
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号