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申请/专利权人：湖南大学
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213405A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提出一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件，包括衬底P‑SUB和设置于衬底P‑SUB内的第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL，第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL邻接，衬底P‑SUB上部设置有第一N阱和第一P阱，第一N阱与第二埋层HVNWELL邻接，第一N阱上设置有第二P阱，第二P阱上设置有H型的第二P+注入区，在H型的第二P+注入区中部横向部分两侧的空白区域分别采用第一场氧区和第二场氧区进行填充。本发明增加非平衡载流子泄放通道，使得重离子辐射产生的非子能从新增空穴泄放电极路径快速排出，寄生三极管更难导通，从而大幅提升LDMOS抗单粒子烧毁的能力。此外本发明结构对LDMOS的阈值电压、导通电阻参数基本无影响。
主权项：1.一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件，其特征在于，包括衬底P-SUB和设置于衬底P-SUB内的第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL，第一埋层BNL和第二埋层HVNWELL邻接，衬底P-SUB上部设置有第一N阱和第一P阱，第一N阱与第二埋层HVNWELL邻接，第一N阱上设置有第二P阱，第二P阱上设置有H型的第二P+注入区，在H型的第二P+注入区中部横向部分两侧的空白区域分别采用第一场氧区和第二场氧区进行填充。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件
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