申请/专利权人：扬州大学

申请日：2021-12-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114295951B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01R1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要：本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。

主权项：1.一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，其特征在于，包括测试板、上位机和外加电源；所述上位机与所述测试板以及外加电源连接；所述测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管；其中，所述电源转换模块用于为所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块供电，所述DSP模块根据从所述上位机接收到的信号控制所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块，所述大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块用于分别对应控制所述大功率碳化硅MOSFET开关管的导通与关闭，所述测试板上设有多个待测器件，所述大功率碳化硅MOSFET开关管用于对应控制各待测器件的导通与关闭；大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块选用光耦器件；所述外加电源包括一个高压直流电源和一个负低压电源；其中，所述高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压Vds，所述负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压Vgs；所述高压直流电源的输出正极分别连接所述测试板上各待测器件的漏极引出的接插件，所述负低压电源的输出正极分别连接所述测试板上各待测器件的栅极引出的接插件，所述高压直流电源和负低压电源的输出负极均连接所述测试板的地，所述大功率碳化硅MOSFET开关管的漏极与所述测试板上对应待测器件的源极相连，所述大功率碳化硅MOSFET开关管的源极接所述测试板的地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州大学 一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD