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申请/专利权人：联想开天科技有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118117852A
主分类号：H02M1/00
分类号：H02M1/00;H02M1/36;G01R19/165
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开
摘要：本申请公开了一种防止MOS异常烧毁的方法，该方法包括：适配器断开时，EC在停止工作前监测DC_IN_DET信号，判断DC_IN_DET信号是否在第一电压阈值以下；在监测到DC_IN_DET信号在第一电压阈值以下的基础上，EC断开VCORE电源控制器的使能信号，使得VCORE电源控制器在输入电压的第一电压区间内停止工作，进而避免VCORE电源控制器在第二电压区间工作，防止烧毁MOS；其中，第一电阻连接DC_IN_DET引脚，DC_IN_DET引脚连接ECGPIO，DC_IN_DET信号为DC_IN_DET引脚产生的信号。
主权项：1.防止MOS异常烧毁的方法，其特征在于，所述方法包括：适配器断开时，EC在停止工作前监测DC_IN_DET信号，判断DC_IN_DET信号是否在第一电压阈值以下；以及在监测到DC_IN_DET信号在所述第一电压阈值以下的基础上，EC能够断开VCORE电源控制器的使能信号，使得VCORE电源控制器在输入电压的第一电压区间内停止工作，进而避免VCORE电源控制器在第二电压区间工作，防止烧毁MOS；其中，第一电阻连接DC_IN_DET引脚，DC_IN_DET引脚连接ECGPIO，DC_IN_DET信号为DC_IN_DET引脚产生的信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联想开天科技有限公司 防止MOS异常烧毁的方法
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