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申请/专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-04-16
公开（公告）号：CN117894818A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;G06F30/20;H01L29/78;H01L21/336;G06F111/10
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要：本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
主权项：1.一种基于SIC-VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构，其特征在于，在器件颈区下方N型漂移区内设置二氧化硅阻挡区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海精密计量测试研究所 一种基于SIC-VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法
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