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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2021-07-28
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN113594236B
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/20;H01L29/778
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.26#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底1、缓冲层2、势垒层3、钝化层5，该钝化层的两端设有源极6和漏极7，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层4，该p‑GaN层上方设有栅极8，该栅极上连接有栅场板9，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板10，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。
主权项：1.一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底1、缓冲层2、势垒层3、钝化层5，钝化层5两端设有源极6和漏极7，源极6的右侧设有p-GaN层4，该p-GaN层4与源极6之间的距离为s，p-GaN层4上设有栅极8，栅极8上连接有栅场板9，其特征在于，漏极7的左侧设有与漏极7相连的n型半导体漏极场板10，以提高p-GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，该n型半导体漏极场板10与势垒层3之间的距离为c，用以提高p-GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，其中s为1～5μm，c为10～100nm；所述n型半导体漏极场板10采用n型GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN、Si、SiC中的任意一种，其n型掺杂浓度为1×1016～1×1019cm-3，长度a不超过所述栅场板与所述漏极之间距离的一半，厚度b为90～400nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管
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