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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2024-05-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213408A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请实施例提供了一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法。LDMOS器件包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型的外延层；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区；形成在所述沟道区内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小；形成在所述沟道区内的沟道欧姆接触区，且所述沟道欧姆接触区和所述变掺杂源极在横向方向间隔设置；其中，所述沟道欧姆接触区接地使得沟道区恒定接地。本申请实施例解决了传统的LDMOS器件工作时源极电位抬升会抬升沟道电位的技术问题。
主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底（1）；位于所述衬底（1）之上的第一掺杂类型的外延层（2）；在所述外延层内形成第一掺杂类型的沟道区（4）；形成在所述沟道区（4）内的变掺杂源极，所述变掺杂源极的掺杂浓度自内向外变小；形成在所述沟道区（4）内的沟道欧姆接触区（10），且所述沟道欧姆接触区（10）和所述变掺杂源极在横向方向间隔设置；其中，所述沟道欧姆接触区（10）接地使得沟道区（4）恒定接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种LDMOS器件及LDMOS器件的制备方法
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