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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
申请日：2024-05-07
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136680A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种双载流子LDMOS器件及制造方法。包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区及背栅极，埋氧化层形成于衬底的上表面，P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，N型源区与P型体区相接，N型漏区与N型漂移区相接。P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构，使N型漂移区的底部形成P型沟道；N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构，使P型体区的表面形成N型沟道。本发明同时利用P型沟道中空穴和N型沟道中电子的流动，降低器件的比导通电阻。
主权项：1.一种双载流子LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、栅氧化层、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区以及背栅极；所述埋氧化层形成于衬底的上表面，所述N型漂移区形成于埋氧化层的表面，所述背栅极形成于衬底的下表面；所述P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，所述P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，所述N型源区与P型体区相接，所述N型漏区与N型漂移区相接；所述P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构，使N型漂移区的底部形成P型沟道；所述N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构，使P型体区的表面形成N型沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学 双载流子LDMOS器件及制造方法
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